Hallo, wo genau befinden sich die Unterschiede (Vor- und Nachteile) bei einem Switch (z.B. Step-Down Switch eines BUCK Controllers), ob dieser einen FET oder einen Bipolaren Transistor intern besitzt bezüglich der Transition / Crossover time vom internen Switch? http://www.national.com/an/AN/AN-1229.pdf Gruß Bernd
Gast
#1144816
Eigentlich werden alle neuen Controller Designs mit MOS-FET realisiert, da wichtigstes Kriterium der RDSon ist. Interne Bipolar Transistoren (BJT) findet man eigentlich nur noch in alten IC-Designs.
d.h. es geht lediglich um den Spannungsabfall, der beim Mosfet um einiges kleiner ausfällt? Dachte da würde mehr dahinterstecken. Bernd
Spannung != Zeit. Spannungsabfall ist natürlich ein Unterschied zwischen bipolaren und MOSFET-Switchern. Aber die obige Frage nach dem Zeitverhalten riecht stark nach etwas ganz anderem.
das dachte ich auch bzw. bin ich auch davon überzeugt... nur eine Richtung fehlt mir noch... Bernd