IGBT Gate Widerstand berechnen

Hiho,

kann mir jemand sagen, wie ich den Gate Widerstand für einen IGBT 
berechne?
Experimentell habe ich diesen bereits bestimmen können. War er zu 
niedrig, so gab es erhöhte Nachschwingungen. Ist er zu hoch, so ist die 
Flankensteilheit zu flach. Aber wie kann man dies berechnen?
Würde man nur vom Schaltstrom ausgehen, den man benötigt, um den IGBT in 
gewisser Zeit schalten zu wollen (also um die Gatekapazität zu laden), 
so wäre es ja kein Problem, den entsprechenden Wert zu finden (R=U/I, 
wobei I der Strom ist, der die Gatekapazität in der gewünschten Zeit 
lädt). Aber mit oben besagtem Verhalten, insbesondere das Schwingen der 
Gatespannung bei zu kleinem Widerstand, wird eine Berechnung eher 
schwierig. Weiß jemand Rat?