Jede Page des Flashspeicher 10.000 mal beschreiben

So ist es.

Btw., ich habe mal (aus berufenem Munde) gehört, dass das page erase
den Flash deutlich weniger stresst als ein chip erase.  Damit dürfte
der Flash folglich beim seitenweisen beschreiben (wie man es mittels
SPM zwangsweise macht) deutlich länger halten, als wenn man ihn mittels
externem Programmer jeweils komplett löscht und neu beschreibt.

Martin schrieb:

> Werde jeden Schreibzugriff
> mitzählen und beim Erreichen von 10.000 auf die nächste Page wechseln.

Es genügt, wenn du testest, ob du sie ordentlich schreiben konntest.
Die garantierte Zyklenzahl wird doch für die maximale zulässige
Betriebstemperatur angegeben, bei besseren Bedingungen bekommst du
viel mehr Zyklen, bevor da was ausfällt.

Martin schrieb:

> Kann es denn
> nicht passieren, daß das Schreiben erfolgreich ist, aber die Bits - nach
> ein paar Tagen oder so - kippen?

Das typische Ausfallbild ist halt, dass eine Zelle gar nicht mehr
schreibbar ist (d. h. sie behält den Bitwert 1).  Was du meinst, ist
die data retention, aber die ist eine andere Sache und hat mit dem
Totalausfall (auf den sich die Zyklenzahl bezieht) nichts zu tun,
sondern ein Datenverlust kann (nach langer Zeit und besonders bei
hohen Temperaturen) prinzipbedingt immer auftreten.  Damit ist die
Zelle selbst aber noch nicht ausgefallen, denn sie lässt sich danach
ja erneut programmieren.  Gegen data retention Probleme könnte man
sich jedoch durch regelmäßige "refreshs" absichern: der Inhalt einer
page wird gelegentlich (solange er noch intakt ist natürlich, man
müsste also irgendwo CRCs davon ablegen) einfach ohne Löschen 1:1
wieder darüber geschrieben.  Da kein Löschen erfolgt, stresst das auch
nicht weiter, d. h. die Zelle wird dadurch nicht stärker abgenutzt.

Disclaimer: ich bin selbst kein Flash-Experte, das ist die Wiedergabe
von Dingen, die ich aus der Diskussion mit anderen entnommen habe.