MOSFET treiben

Gast #1546475
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Hallo,

ich möchte mit einem µC einen MOSFET treiben.Im Datenblatt des µC finde 
ich einen Parameter

"External Load Capacitance" welcher mit 50pF angegeben ist.

Mein MOSFET hat laut Datenblatt eine Eingangskapazität von 600pF, also 
gehe ich davon aus, das ich den nicht direkt ansteuern kann.

Reicht es einen Widerstand daziwchen zu setzen um den Strom zu begrenzen 
oder nimmt man einen MOSFET Treiber?

Meine Überlegung hierzu wäre: Bei schnellen Signalen einen Treiber um 
das Gate entsprechend schnell umladen zu können, bei langsamen Sigalen 
genügt ein Widerstand, stimmt dies in etwa?
Gast #1546499
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Ich würde aber so oder so einen Treiber dazwischenschalten, denn damit 
kannst du, wie du ja schon selbst sagtest, das Gate schnell umladen.
Dies bewirkt auch, dass der Übergang von Leitend nach Sperrend schnell 
vorllzogen ist. Und das ist gerade bei großen Strömen wichtig, denn 
genau während des Schaltvorganges wird Leistung im FET umgesetzt -> 
Hitze
machst du den Umschaltvorgang schnell, dann wird´s net so warm ;-)
#1546913
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Welcher µC?
Zumindest die AVRs können kurzzeitig auch viel höhere Ströme treiben. 
Die 20mA/40mA aus dem Datenblatt beziehen sich ja auf Dauerstrom.

Wenns also nicht für die Serie ist: sehr kleinen Gate-Widerstand (1 Ohm 
.. 10 Ohm) nehmen und Mosfet mit kleiner Gate-Kapazität wählen.

z.B. IRLU2905 an nem ATTiny45, PWM mit 250kHz, Spannung am Gate schaut 
perfekt aus, steile Flanken, kaum Überschwinger, ...

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