MOSFET Frage für Buck-Converter

"Ist es so ähnlich wie bei NPN/PNP Transistoren ?"
Ja .


Mach es Dir nicht zu schwer .
Nimm einen P-ch FET .
Sonst musst Du Dir evtl. noch einen speziellen , teueren ,
hi-tech MOS-FET-Treiber kaufen ...

Du willst auch GND- bezogen die Akkuspannung messen ... ?

Hi buz11,

danke erstmal für deine Antwort also im endefekt, möchte ich nachher
die Spannung & den Strom begrenzen können.

Messen möchte ich einmal die Spannung (LM358 an + & - des Akkus)

Und einmal den Strom über einen Shunt 0,33R messen.

Die Sache ist halt, das ich bei der Spannung einen Strom von ca. 5-6A
benötige evtl. 10-15A währen auch schön. Also evtl. ne
Paralellschaltung von MosFETS `?

Gruß Dennis

Naja, Highside-N-MOSFETs sind aber auch nicht sooo schwierig. Einfach
einen IR21xx als Treiber rein und das Ding läuft. Dann sparst du dir
sogar die Treiberstufe mit dem BC548.

arg... noch mehr verwirrt sei...
laut APP450 von Atmel wird ein FET: SI4425DY verwendet... den es
natürlich nicht bei Reichelt gibt... Also geschaut bei IRF.com nach
P-Channel FET`s ... wieso werden die alle mit -5v -12v etc
angegeben...
???

Kennt jemand einen guten P-Channel FET der Leistungsstark ist ? 10A bei
ca. 12v will ich schon haben... ;)


Gruß Dennis

Hallo Dennis,

IRF7416 von Reichelt knapp € 0,60  P-MOS in SO8-Gehäuse  10A(25°) 30V
Rds 20 mOhm.
Davon am besten 2 Stück parallel.

Hi Eumel,

danke Dir für die Info ich hätte jetzt fast den IRF4905 bestellt... ;)
Was ist eigendlich effektiver ? Die Ansteuerung so wie ich Sie jetzt
oben habe, per Transistor oder doch besser per FET Treiber ?

Gruß Dennis

Da nimm lieber einen im TO220-Gehäuse. Die lassen sich besser kühlen,
wobei 2 Watt ja sicher noch passiv gehen. Der IRF4905 war schon eine
gute Wahl. So brauchst Du auch nicht 2 parallel legen.

Ein überdimensionierter MOSFET hat natürlich eine entsprechend höhere
Gate-Kapazität d.h. die Ansteuerung muss entsprechend kräftiger
ausfallen oder die Schaltzeit verschlechtert sich.

Ich denke dass ein Transistor ausreicht. Es sei denn du gehst mit der
Schaltfrequenz an die Grenzen oder benötigst den ultimativen
Wirkungsgrad. Du kannst das aber z.B. mit SwitcherCAD (freeware) 'mal
simulieren.

Gruß

Eumel

Hallo zusammen,
Ich muss diesen uralten Beitrag nochmal auskramen, da ich vor genau der 
selben Frage stehe. Ich möchte die o.g. Akku-Ladeschaltung aus der 
AVR450 nachbauen, allerdings für größere Leistungen (+- 500W, 48V).
Weil der angegebene MOSFET nicht für diese Leistungen geeignet ist, muss 
das Ganze neu ausgelegt werden.
Ich habe inzwischen verstanden, dass für die in der 
High-Side-Beschaltung verwendete Ansteuerung eines p-ch-FETs, günstiger 
ausfällt, weil man keinen extra Treiber-IC (IR21xx) benötigt, die 
p-ch-FET Variante aber mehr Verluste aufweist und die FETs teurer sind 
als n-FETs.
Meine Frage ist nun, ob es erstens Sinn macht bei einem p-ch-FET zu 
bleiben, der IRF4905 wäre ja z.B. gut geeignet.
Und zweitens: Wie werden in der oben gezeigten Treiberschaltung die 
Widerstände berechnet. Könnte man an dieser Stelle nicht die 
Dimensionierung aus folgendem Beiträg (erstes Post) übernehmen:
Beitrag "P-MOS gegen N-MOS tauschen"

Als n-ch-Alternative hatte ich mir z.B. eine Kombination aus IRF540 
(n-MOSFET) und IR2117(Treiber) vorgestellt. Durch die für 
Akku-Ladeschaltungen nötige externe Boostrap-Beschaltung (s. IR-APP-Note 
978) und die CMOS-Ansteuerung wird mir das aber irgendwie zu aufwendig. 
Kann mir dazu vielleicht jemand einen alternativen Ansatz (/Schaltung) 
geben ?

Vielen Dank schonmal für die Hilfe.