HF Transistoren mit hoher Ausgangsleistung

Gast #1898384
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Hallo.

Es geht um einen RF Power Amplifier von 2-3GHz. Ich suche dazu 
Transistoren, die in diesen typischen HF-Gehäusen verpackt sind. Die mit 
den langen Beinchen. Z.B.:
http://www.pe-tronic.de/To50Bild.jpeg

Da gibt es ja noch andere Gehäuse, hauptsache lange Anschlüsse. Was 
gibts da?
Möglichst über 500mW Ausgangsleistung und gutem Power Gain.
Persönliche Seite #1898459
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Hallo Ramses.

wie ist das Klima in Aegypten?


> Transistoren, die in diesen typischen HF-Gehäusen verpackt sind. Die mit
> den langen Beinchen. Z.B.:
> Da gibt es ja noch andere Gehäuse, hauptsache lange Anschlüsse. Was
> gibts da?
> Möglichst über 500mW Ausgangsleistung und gutem Power Gain.

Ich denke nicht, dass es in solchen Gehaeusen gelingt, 500mW 
Ausgangsleitung zu erzeugen.
Und schon garnicht bei 2GHz.

Gruss

Michael
Gast #1898495
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In diesem historischen Gehäuse gab es Einzeltransistoren m.W. nur als 
Vorstufentypen mit entsprechend kleiner Verlustleistung.

Die Bauform mit den gigahertzfeindlich langen Drähten ist steinalt, so 
aus der Zeit der Hieroglyphen und Pyramiden, und benötigt auch noch ein 
Loch in der Platine, damit das Teil plan aufliegt.
Im Ernst, ich kenne so was eigentlich aus TV-Tunern der 70er Jahre.

Für HF Transistoren von 0,5W ist dann doch eher SOTxxx üblich. MMIC 
kommen zwar ähnlich daher, sind aber eine andere Baustelle.

Gruß,
Bernhard
#1898501
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ramses schrieb:
> Wenn es sogar SOT-23 Transistoren mit einer Transitfrequenz von 9GHz und
> 500mW gibts, dann müssen die anderen Gehäuse das doch auch können.
> http://de.farnell.com/nxp/bfr540-215/dp/1825993

Mir scheint du hast noch wenig Erfahrung mit SOT-23.

500mW gibts da nicht. Auch nicht beim BFR540.

Die Spec im NXP Datenblatt sagt 500mW bei 70°C am Lötpunkt. Bei einem 
Rths von 260°/W bedeutet das eine Chip-Temperatur von 200°C. Es wäre 
unsinnig einen Si-Halbleiter bei dieser Temperatur zu betreiben.
Liest man weiter im Datenblatt, dann gibt es da ein Beispiel mit 
21dBm(ca. 100mW) Ausgansleistung bei 900MHz und einer Verlustleistung 
von ca. 8V*40mA=320mW. Das ist schon mal wesentlich weniger, aber imemr 
noch sehr viel Verlustleistung für SOT-23. Soviel würde ich dem Teil 
nicht zumuten, wenn hohe Zuverlässigkeit gefragt ist. Für eine 
Diplomarbeit geht das vielleicht. Das muss ja dann nur 1 Woche lang 
funktionieren.

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