MOSFET Verschaltung

OP #1909993
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Servus Zusammen,

folgender Schaltplan:

http://plischka.at/images/TowerPro%2050A_Schaltung.png

1) Irgendwie habe ich das gefühl, dass hier ein falsches Symbol 
verwendet wurde. Wenn ich mich nicht irre sind hier P-Channel-MOSFETs 
verbaut obwohl es N-Channel-MOSFETs sein sollten richtig? Wäre das 
schaltungstechnisch korrekt?

2) Im Schaltplan steht desweiteren: "all D2PAK are doubled"

Wie ist das zu verstehen?

Immer 2 FETs in Serie_ verschalten oder _Parallel :

also:

Serie

    |
    D
  -G
  | S
--| |
  | D
  -G
    S
    |


Parallel:

       |
    |--+--|
    D     D
  -G-----G
    S     S
    |--+--|
       |

Ich hoffe die Zeichnungen sind halbwegs verständlich

 D
G       = immer ein FET
 S


FETs sind 30V N-FETs und ergeben im Zusamenhang (-> Schaltplan) einen 
Brushless-Regler.


Vielen Dank für die Hilfe.
#1910344
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Die echte Serienschaltung zweier MOSFETs macht wenig Sinn, da es ein 
Riesenproblem mit der Steuerung gibt. Sie kommt nur scheinbar in 
Brückenschaltungen vor, da werden aber beide MOSFETS abwechselnd 
gesteuert.

In der Zeichnung (soweit ich sie lesen kann) sind die MOSFETS parallel 
geschaltet, um genügend Spitzenstrom zu ertragen.
#1910347
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Hi,
ohne den kompletten Sinn der Schaltung erörtert zu haben, denke ich es 
handelt sich um eine Art 3Phasen Umrichter die mit ABC gekennzeichnten 
Bauteile sind je sog. Halbbrücken welche so korrekt sind. Diese Mosfets 
sind je 2 in parallel verbaut allerdings nicht so im Plan 
eingezeichnet...

Der IR2102 ist ein Halbbrückentreiber, der in der Lage ist N-Mos in der 
Highside anzusteuern.

Jochen

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