Rauschzahl integrierter Transistor

Hallo,

ich habe eine Transistor simuliert. Dabei habe ich die Rauschzahl als 
Funktion des Basisstroms mit der Emitterweite als Parameter geplottet 
und festgestellt, das für die geringste Emitterweite (effektive 
Emitterfläche konstant) die geringste Rauschzahl entsteht. Kann mir 
jemand erklären warum das so ist ?