Gast
#2262127
Moin! Hier mal eine theoretische Frage: Im JFET (selbstleitend) tritt ja analog zum Earlyeffekt im BJT ein Effekt auf, der den Strom weiter ansteigen lässt, wenn die Source-Drain-Spannung steigt, auch nach erreichen der Abschnürspannung. In meinem Skript dazu steht, dass der Abschnürpunkt weiter in richtung Drain wandert. Dadurch soll angeblich nur noch der Widerstand des Kanals zum Tragen kommen. Aber was ist denn mit dem Widerstand der bereits abgeschnürten Bereiche? Dieser ist doch eigentlich die selbe RLZ, die beim JFET entsteht, wenn man eine Gate-Spannung anlegt. Warum soll der Widerstand der RLZ plötzlich nicht mehr zählen? Im Skript steht etwas davon, dass die elektronen über die RLZ in die Source abgesaugt werden. Warum passiert das denn nicht, wenn eine Gate-Spannung anliegt und der Transistor sperrt? Oder hab ich hier etwas durcheinanderbekommen ^^ lg, Christopher