Gast
#2354001
Hallo, ich beziehe mich auf: http://www.fairchildsemi.com/ds/MM/MMBF4117.pdf und die angehängte Schaltung. Es handelt sich bei diesem Bauteil um einen JFET mit kleinem Leckstrom. Ein JFET wird normalerweise im Verarmungsbereich betrieben und somit VDS>VGS-VP bzw. die Gate-Kanal Diode wird in Sperrichtung betrieben. Soweit so gut :) Meine Fragen: - Wieso wird Datenblatt der Leckstrom auf auf die Drain-Gate-Voltage bezogen? Ginge nicht auch Source-Gate? - Fließt der Leckstrom aus dem Gate hinaus? Deswegen in der Common Source Schaltung auch "immer" der Widerstand (R3) gegen Ground? - Hängt der Leckstrom (z.B. 10pA) mit dem Eingangswiderstand über R_in = U_in/I_leak zusammen? Und dieser Widerstand wird bei der Commonsourceschaltung || zum Eingangswiderstand R3 geschaltet und aufgrund seiner Größe (viel größer) idr. vernachläsigt? Danke!
