Transistor Stromverstärkung

Das ist bei der Verwendung als Schalttransistor. Es muß das volle 
Durchschalten ja gewährleistet sein, auch wenn sich die Stromverstärkung 
mit steigenden Strömen und Temperaturen verändert.

Mehr Strom als nötig gibt sicheren Betrieb, hat aber nicht viel mit 
Ucesat zu tun. Es verlangsamt sogar die maximal mögliche Schaltfrequenz.

Iat also alles ein Kompromiss.

Ich wollte eigentlich einen BCP69T1G nehmen.

In meinem Bereich liegt die DC Current Gain bei etwa 150, brauch bis zu 
200mA.

20mA will ich nicht gerade an die Basis anlegen, lieber wären mir so 5, 
meint ihr, das ginge?

Gerhard K. schrieb:
> meint ihr, das ginge?

Wenn die Zahlenangaben von Dir stimmen - ja.

Messen kann ichs noch nicht, ich hab die Teile noch nicht, die Platine 
dazu auch noch nicht.

Die Frage ist halt für mich, soll ich mir ne darlington Stufe bauen oder 
nicht.

Solche UDN sind mir nur zu langsam, ich hab zwar Typen bei Farnell 
gefunden, die schnell genug wären, aber für mich als privatperson beim 
hbe shop, weil sie aus der USA kommen, nicht zu bestellen sind :-(

hab ich, ich hätte 500 Schaltvoränge die Sekunde, schaffen das normale 
Schieberegister aller 595 oder konsorten überhaupt, die MOSFETs da 
schnell genug durchzusteuern?

Für jeden MOSFET oder für jeden 2. einen LED Treiber käme etwas teuer, 
bei 64 Stück

Prinzipiell würden mir die ROHM - RTQ025P02TR sehr zusagen.


http://www.farnell.com/datasheets/25921.pdf


Total gate charge   6,4nC
Gate-source charge  1,4nC
Gate-drain charge   1,9nC
Input capacitance   580pF
Reverse transfer capacitance 80nF

Die Anzahl der Schaltzyklen hat sich auf 10 000 erhöht, hab mich 
massivst getäuscht.

Also, der MOSFET oder bipolar?

Gerhard K. schrieb:
> Also, der MOSFET oder bipolar?

Noch immer egal.

ich hab heut mal nen Kumpel gefragt, der E-Technik studiert. Er meinte, 
dass die MOSFETs, die ich mir ausgesucht habe, nicht schnell genug vom 
Schieberegister 595 geschalten werden könnten für die 10 000 Hz

dein link: http://www.farnell.com/datasheets/25921.pdf

bei 11mhz hat man nur noch einen dreieckigen spannungsverlauf
-> ergibt sich durch Turn-on delay time, Turn-off delay time, Rise time, 
Fall time

wenn ich dann noch sehe das der hersteller schon bei 1Mhz rumtestet und 
kapazitätswerte für 1mhz angibt.
sollten 10khz wohl gar kein problem sein.

mir ist schleierhaft warum der nicht gehen sollte

seine Rechnung war folgende:

Umladezeit = Gatecharge * Strom

Die Schieberegister können insgesamt 35mA liefern, also bleiben so 4mA 
für jeden Ausgang.

Also ist die Umladezeit = 4mA * 6nC = 24µs, was ja zu langsam für 10 kHz 
wäre

außerdem ist die umladezeit = gateladung durch strom, also bei 4mA 
nurnoch 1,5µS. der peak-strom wird aber höher sein

Auch ist von der Gate Ladung nur der Teil interessant über den sich der 
Strom ändert. Sowohl bei kleinen als auch großen Spannungen gibt es 
einen Bereich in dem sich am Strom durch den FET noch nichts 
wesentliches ändert. Interessant ist der Bereich von etwa 1 V bos 3,5 V 
am Gate , vgl. Bild 9 im Datenblatt. Der Bereich darunter und drüber 
gehört nicht mehr zur Schaltzeit.
Bei den vermutlich nur 5 V die zu schalten sind, reduziert sich auch 
noch die Ladung Gate/Drain im Vergleich zur Datenblattangabe für 15 V. 
Ich würde also eher mit 2-3 nC rechnen statt mit 6 nC.

Man wird auch etwas mehr als 4 mA von Schieberegister bekommen. Der 
Strom fließt ja nur Kurzzeitig, und dann sind auch 10-20 mA drin.

Der MOSFET ist trotzdem schon recht groß für die Anwendung - durch die 
geringe Spannungsfestigkeit ist die Gate Kapazität aber sogar noch 
relativ klein.