highside und lowside

Gast #2435436
Lesenswert?
• ▲
▼
PMOS schrieb:
> Hallo,
>
> ein NMOS wird doch im allgemeinen und nach Möglichkeit low-side verbaut,
> um die Masse nicht springen zu lassen.

Ja, aber die Begründung sagt mir nichts...
Der Vorteil ist, dass die Gatespannung direkt aus der Betriebsspannung 
gewonnen werden kann.
> Folgt daraus für den selbstsperrenden PMOS, dass dieser dann nach
> Möglichkeit High-Side verschaltet wird?
>
Es macht es einfacher, da auch hier die Gatespannung direkt verfügbar 
ist.

Dennoch kann man sowohl nFET highside als auch pFET lowside verbauen 
(letzteres habe ich allerdings noch nicht in echt gesehen :-)
#2435443
Lesenswert?
• ▲
▼
crazy horse schrieb:
> als auch pFET lowside verbauen

Die Löcherbeweglichkeit ist eben nicht so groß wie die 
Elektronenbeweglichkeit. PMOS haben eine geringere Stromausbeute bei 
gleich großer Bauform. Deswegen wird in Hi-Power-Anwendungen eben gern 
auf NMOS-Highside umgestiegen. Die zusätzlich nötige 
Gatespannungsversorgung ist da auch nicht mehr so das Kernproblem.

mfg mf

Antwort schreiben

Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt. Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten, für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Formatierung
  • [c]C-Code[/c]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] – Link zu einem Artikel
  • Verweis auf einen anderen Beitrag: Rechtsklick auf dessen Beitrags-ID (#8078628), „Adresse kopieren“, in den Text einfügen

Mehr zur Formatierung

Längeren Sourcecode als Anhang, nicht in den Text. JPG nur für Fotos und Scans; Zeichnungen und Screenshots als PNG oder GIF. Siehe Bildformate.

Schon registriert? Anmelden

Wird nicht angezeigt. Wir schicken dir einen Link; sobald du damit bestätigst, erscheint dein Beitrag.

Mit dem Abschicken legst du einen kostenlosen Account an und erkennst die Nutzungsbedingungen und die Datenschutzerklärung an.