highside und lowside

crazy horse Gast #2435436
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PMOS schrieb:
> Hallo,
>
> ein NMOS wird doch im allgemeinen und nach Möglichkeit low-side verbaut,
> um die Masse nicht springen zu lassen.

Ja, aber die Begründung sagt mir nichts...
Der Vorteil ist, dass die Gatespannung direkt aus der Betriebsspannung 
gewonnen werden kann.
> Folgt daraus für den selbstsperrenden PMOS, dass dieser dann nach
> Möglichkeit High-Side verschaltet wird?
>
Es macht es einfacher, da auch hier die Gatespannung direkt verfügbar 
ist.

Dennoch kann man sowohl nFET highside als auch pFET lowside verbauen 
(letzteres habe ich allerdings noch nicht in echt gesehen :-)
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Achim M. #2435443
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crazy horse schrieb:
> als auch pFET lowside verbauen

Die Löcherbeweglichkeit ist eben nicht so groß wie die 
Elektronenbeweglichkeit. PMOS haben eine geringere Stromausbeute bei 
gleich großer Bauform. Deswegen wird in Hi-Power-Anwendungen eben gern 
auf NMOS-Highside umgestiegen. Die zusätzlich nötige 
Gatespannungsversorgung ist da auch nicht mehr so das Kernproblem.

mfg mf
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