Irgendwie stell ich mich zu dumm an. Ich möchte (das erste Mal) einen
MOS-FET als Lastschalter an einem AVR verwenden. Etwa so
12V
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Last
|
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D|
µC-IO____G__/ BSP295
S\
|
|
Masse
Nachdem ich einen ersten BSP295 verbrannt habe, bin ich vorsichtiger
geworden und möchte den DS-Widerstand bei verschiedenen GS-Spannungen
messen.
Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der
DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Ich dachte, dass
der geringe Widerstand erst oberhalb einer Schaltspannung GS von ca. 2V
sich einstellt.
Wenn ich G nicht beschalte und direkt den DS-Widerstand messe, zeigt das
Multimeter zw. 100kOhm und 1MOhm.
Mach ich etwas falsch? Was hab ich missverstanden?
dumb e-eng schrieb:> Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der> DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Ich dachte, dass> der geringe Widerstand erst oberhalb einer Schaltspannung GS von ca. 2V> sich einstellt.
genauso isses,
hast du den fet schon zerschossen?
Dann leitet er nämlich normalerweise immer
dumb e-eng schrieb:> Wenn ich G nicht beschalte und direkt den DS-Widerstand messe, zeigt das> Multimeter zw. 100kOhm und 1MOhm.
Das Gate darf nie offen sein, sonst ist die Spannung nicht definiert und
somit auch der D-S Widerstand nicht. Zudem kann es dir den Fet
zerstören.
G - S darf max 20V sein.
Was für eine Last? Induktiv, dann brauchts du noch eine Freilaufdiode.
so
http://www.mikrocontroller.net/attachment/114204/uC-MOSFET-Ansteuerung.GIF
@dumb e-eng (Gast)
>Nachdem ich einen ersten BSP295 verbrannt habe, bin ich vorsichtiger>geworden und möchte den DS-Widerstand bei verschiedenen GS-Spannungen>messen.
Kann man machen.
>Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der>DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter).
Drain und Source vertauscht?
>Wenn ich G nicht beschalte
Macht man nicht. Ein offenes Gate ist ein Zufallsgenerator und ein
leichtes Opfer für ESD.
>Mach ich etwas falsch?
Gate muss IMMER irgendwie an einer definierten Spannung hängen, selbst
wenn es nur ein 1M Pull-Down Widerstand nach Source ist.
MfG
Falk
Ich kann mir nicht vorstellen, dass ich den zweiten FET auch schon
zerschossen habe, da ich bisher nur mit dem Ohmmeter drangegangen bin.
Ich mag nicht ausschließen, dass ich D und S vertauscht habe. Aber
eigentlich ist das Datenblatt ziemlich eindeutig
(http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/infineon/1-BSP295_080801.pdf
Pins 1 und 3 auf Masse, Widerstand zwischen 4 und Masse gemessen = 1Ohm)
Wenn ich das Teil in die Hand nehme und den Widerstand zwischen 4 und 3
messe, zeigt es mehrere 100kOhm an.
Die Last sollen mal mehrere LEDs werden, also nicht induktiv.
dumb e-eng schrieb:> Irgendwie stell ich mich zu dumm an.
Mal schauen ...
> 12V> |> |> Last> |> |> D|> µC-IO____G__/ BSP295> S\> |> |> Masse>> Nachdem ich einen ersten BSP295 verbrannt habe, bin ich vorsichtiger> geworden und möchte den DS-Widerstand bei verschiedenen GS-Spannungen> messen.
Ohje!
> Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der> DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Ich dachte, dass> der geringe Widerstand erst oberhalb einer Schaltspannung GS von ca. 2V> sich einstellt.
Keiner hat bis jetzt was gemerkt!?
> Wenn ich G nicht beschalte und direkt den DS-Widerstand messe, zeigt das> Multimeter zw. 100kOhm und 1MOhm.>> Mach ich etwas falsch? Was hab ich missverstanden?
GEGEN-FRAGE - NUR THEORIE(!):
Würdest du mit deinem Multimeter auch den Widerstand einer leuchtenden
230-Volt-Glühlampe messen?
Schreib mal Ja/Nein, und was du glaubst, was dabei heraus kommen würde!
Michael L. schrieb:>> Wenn ich das Teil in die Hand nehme ...> Sowas macht man mit (MOS)FETs nicht!
Sei mal nicht heiliger als der Papst. Ich nehme alle Mosfets einfach in
die Hand (ohne Erdungsband und Heizungsrohr), und bisher ist keiner
dabei kaputtgegangen...
dumb e-eng schrieb:> Ich kann mir nicht vorstellen, dass ich den zweiten FET auch schon> zerschossen habe, da ich bisher nur mit dem Ohmmeter drangegangen bin.
Wie passt das zu deiner Schaltplanskizze?
Hast du den Fet in eine Schaltung eingebaut oder nicht?
> Mach ich etwas falsch?
Zeig doch mal ein Foto von deinem Aufbau.
> Was hab ich missverstanden?
Wie Michael schon sagte: man kann mit einem Multimeter keine Widerstände
in Schaltungen messen, die unter Spannung stehen...
> Die Last sollen mal mehrere LEDs werden, also nicht induktiv.
Hast du schon mal was von "Leitungsinduktivität" gehört?
Kurzfassung auf Englisch: each mm has its nH.
Lothar Miller schrieb:> Michael L. schrieb:>>> Wenn ich das Teil in die Hand nehme ...>> Sowas macht man mit (MOS)FETs nicht!> Sei mal nicht heiliger als der Papst. Ich nehme alle Mosfets einfach in> die Hand (ohne Erdungsband und Heizungsrohr), und bisher ist keiner> dabei kaputtgegangen...
Du hast schon recht, und mit etwas Erfahrung, wie man die Dinger
anpatscht, ohne das gleich was passiert, ist das auch nicht ganz so
schlimm. Aber so wie der TO schreibt, traue ich ihm das einfach nicht
zu!
Beim Beschrieben Fehler tippe ich auf, wie viele hier schon schrieben,
dass das Tierchen schon längst gehimmelt ist. Wie Falk Brunner schon
schrieb. Immer brav ein definiertes Potenzial an gate legen und wenn
kein Signal ist Pulldown wiederstand für masse Potenzial oder Pull up
für high potenzial.
Was auch sein kann ist, das du gar kein N-kanal FET in der hand hast bzw
überhaupt ein FET, schaum mal auf die Beschriftung. Klingt doof, aber
viele grabbeln einfach nur in eine Kiste auf der N-FET steht und denke,
das was sie da rausholen ist auch N-FET. Leider nicht immer so, auch im
versand kommt sowas vor.
Vielen Dank für die zahlreichen Hinweise.
Vermutlich ist der zweite doch schon hinüber, auch wenn ich meine, ihn
halbwegs sanft angefasst zu haben (ohne Finger an den Pins, meist mit
Zange).
Zur Frage mit der Glühlampe: das Ohmmeter würde ziemlich sicher die 220V
nicht überleben, die Potenzialdifferenz lässt sich aber ganz gut messen.
Wenn aber beim FET die Pins 1 (G) und 3 (S) auf Masse liegen, steht das
Bauteil nicht wirklich unter einer hohen Spannung. Da stell ich mir in
meiner Naivität schon vor, dass ich einen Widerstand DS mit dem Ohmmeter
messen kann.
Die Schaltung ist bisher übrigens nur frei verdrahtet auf einem
Breadbord (sorry, die Handyfotos sind nichts geworden). Die
Gate-Spannung kann ich mit einem 10k-Poti zwischen 0 und 5V einstellen.
5V
|
-
| | ___
10k--|_____|--- G
|_| 4k7
|
|
Masse
Auf dem Bauteil steht übrigens groß und deutlich BSP295.
Glücklicherweise hatte ich gleich vier FETs gekauft, wenn ich die
letzten zwei auch noch schrotte, muss ich wieder in die Schillerstr.
dumb e-eng schrieb:> (ohne Finger an den Pins, meist mit> Zange)
Nur so zur Info. Die Zange allein schütz vor ESD-Schäden nicht, ausser
du hast eine speziell dafür geeignete.
dumb e-eng schrieb:> Die Schaltung ist bisher übrigens nur frei verdrahtet auf einem> Breadbord
Was hängt denn da sonst noch daran? Vielleicht liegt dort eher das
Problem begraben.
Ich habe sicher kein Spezialwerkzeug. Das ist ein Hobby, keine
professionelle Werkstatt.
Außer der dem erwähnten Poti und der 5V-Spannungsversorgung ist nichts
weiter drauf.
Das Ganze soll mal so aussehen:
http://jreise.de/RCUSB/RC-Schalter.html (Mitte der Seite,
PowerFET-Stufe)
Das ist auch freifliegend verdrahtet, aber offensichtlich von einem
bedeutend erfahreneren Bastler.
Bist Du dir mit deinem Laststrom sicher? Könnte es sein das der
geringfügig höher ist? Selbst wenn nicht, wenn ich das richtig
verstanden habe gehst du mit maximal 5V auf Gate, was den RDSON
auf ca.0,35 Ohm treibt, mal deinem Laststrom... da ist nicht
mehr viel Luft bis das Ding verbrennt (Ptot 1,8W).
Was bei der hohen Last dann noch dazu kommt ist der extrem
hohe Gatewiderstand, das Teil schaltet dadurch auch extrem
langsam auf und zu, was bedeutet der RDSON geht ganz langsam
von unendlich nach 0,35 Ohm und zurück, das kann schon reichen
um ihm den Rest zu geben.
Hab ich richtig gelesen... hier wird ein Ohmmeter unter Spannung
verwendet??? Wenn ja, kann ich mir vorstellen warum die Ergebnisse
nicht stimmen können.
dumb e-eng schrieb:> Die Gate-Spannung kann ich mit einem 10k-Poti zwischen 0 und 5V einstellen.
Wozu soll das Poti gut sein am Gate?
Ich denke auch dein Poti zum Gate ist das Problem. Damit hast du wohl
den Fet im linearen Bereich betrieben und er starb am Hitzetod.
Bei 12V und 400mA enspricht das einer Last von 30 Ohm.
Nehmen wir nun als Beispiel an, der Fet ist mit 30 Ohm halb-leitend.
Ergibt einen Gesamtstrom von I = 12V/(30+30 Ohm) = 200mA.
Dann fällt am Fet ein Verlustleistung von
P = I^2 * R = 0.2A^2 *30 Ohm = 1.2W an.
Das ist klar zuviel für Freiluft-Verdrahtung.
Wenn nun GS mit 4.5V richtig angesteuert wird ist der RDSon bei rund 0.5
Ohm.
Dann ist der Verlust nur noch bei
P = 0.4A^2 * 0.5 Ohm = 80mW (ohne Schaltverluste)
Wenn, das Gate sauber geschalten wird, ist das sicher kein Problem.
Ich hab das (dritte) Teil jetzt auf eine Lochrasterplatine gelötet und
von dort mit Steckkontakten auf das Breadboard geführt. Es funktioniert
jetzt alles, wie es von Anfang an funktionieren sollte. Die
Rumspielerein in der Hand haben wohl die ersten zwei Versuchsteile
sterben lassen.
Nochmals vielen Dank für die zahlreichen Hinweise