Hi,
für euch sicherlich trivial, aber ich beiß mir da momentan echt die
Zähne aus - obwohl ich mir schon Application Notes angeschaut habe. Ich
verstehe nicht, wie ich ein Treibersignal für einen MOSFET erzeugen
kann, das +-Vgs ist.
Gehen wir von einem PWM controller aus, der am Ausgang ein
Rechtecksignal mit entweder Vcc oder GND ausgibt. Dieses Signal gebe ich
auf einen Gatetreiber, der ebenfalls mit Vcc und GND betrieben wird.
Soweit richtig?
Wie bekomme ich nun die negative Vgs Spannung erreicht?
Es gibt Dual Gate Drivers, die bei zwei Eingängen zwei Ausgänge
kreieren. Ist es gänge Praxis, dort eine Verschiebung von 180°
einzubauen? Wenn ja, wie sieht diese aus? Wenn nein, wie bekommt man
sonst die +-Vgs hin?
Wie gesagt, für euch ein "piece of cake", aber für mich gerade echt
verzweifelnd :(
Viele Grüße
Hi,
Pico Oschi schrieb:> Weshalb negativ ? Ein N-Fet is mit der Source an GND. Dann genuegen> GNDund ein positives Vgs zum Ein-/Ausschalten
Okay, das ergibt Sinn. Aber irgendwo habe ich mal gelesen, dass ein
Schalter mit +-15V betrieben wird. Wahrscheinlich hat mich das dann
verwirrt.
Wie sieht es denn aus, wenn man einen Übertrager zur galvanischen
Trennung verwendet. Wenn ich dem 0V und 15V gebe, fährt der dann nicht
irgendwann in die Sättigung aufgrund des Gleichspannungsanteils?
Oh je, ich bin verwirrt :(
@ Anfänger (Gast)
>Okay, das ergibt Sinn. Aber irgendwo habe ich mal gelesen, dass ein>Schalter mit +-15V betrieben wird.
Das gilt nur für einige IGBTs, die zum vollständigen Sperren eine
negative gatespannung brauchen.
>Wie sieht es denn aus, wenn man einen Übertrager zur galvanischen>Trennung verwendet. Wenn ich dem 0V und 15V gebe, fährt der dann nicht>irgendwann in die Sättigung aufgrund des Gleichspannungsanteils?
Sicher, du musst ihn gleichspannungsfrei ansteuern. Oder mit so kurzen
Schaltpulsen, dass er in den Pausen seine Magnetisierungsenergie wieder
loswerden kann.
MFG
Falk
Naja, bei einem p-Kanal-MOSFET muss die Spannung Ugs negativ sein, damit
er leitet. Bei einem n-Kanal-MOSFET positiv.
Dazu brauchst du aber keine negative Spannung. Es kommt auf die
Potentialdifferenz an.
D.h. hast du am Gate eine Spannung von 5V und am Source eine Spannung
von 10V, dann hast du Ugs von -5V.
Bei einem n-Kanal-MOSFET hast du Source auf 0V und das Gate auf 5V und
du hast Ugs von +5V.
Hi,
vielen Dank für eure Antworten. Jetzt wird es etwas klarer. Ich
revidiere meinen Eingangspost bzw. den Threadtitel und möchte gerne
einen IGBT ansteuern. Dieser IGBT benötigt +-15V.
Wie wird das am einfachsten realisiert?
Danke
Anfänger schrieb:> vielen Dank für eure Antworten. Jetzt wird es etwas klarer. Ich> revidiere meinen Eingangspost bzw. den Threadtitel und möchte gerne> einen IGBT ansteuern. Dieser IGBT benötigt +-15V.
Wer sagt sowas ungeheuerliches?
@Anfänger (Gast)
>einen IGBT ansteuern. Dieser IGBT benötigt +-15V.>Wie wird das am einfachsten realisiert?
Wie schon richtig erkannt mit einem Pulsübertrager.
MFG
Falk
Hi,
Mampf F. schrieb:> Wer sagt sowas ungeheuerliches?
Ich - basierend auf Falks Aussage, dass einige IGBTs eine negative
Steuerspannung brauchen um abzuschalten. Und ja, es ist nur eine
theoretische Überlegung meinerseits mit den +- 15V.
In diesem ganzen Thread geht doch nur darum:
Wie kriege ich aus 0...Vcc von meinem PWM controller +-Vcc bzw. +-Vcc/2
so dass ich das Signal in einen Übertrager einspeisen kann?
Gruß
Hi Falk,
Falk Brunner schrieb:> Wie schon richtig erkannt mit einem Pulsübertrager
Das heißt also, dass die Sekundärseite des Übertragers drei Abriffe hat.
Gegenüber dem mittleren Abgriff habe ich dann +-Vcc
zum Übertrager habe ich aber noch eine Frage:
wenn ich eingangsseitig ein Signal von 0...Vcc anlege, muss die
Pulsbreite entsprechend klein sein, damit die Magnetisierungsenergie
abgeführt werden kann. Das müsste ja über den ohmschen Anteil der
Windungen geschehen, wenn ich mich nicht täusche?
Aber kommt die Pulsbreite nicht aus dem PWM controller, der die
Pulsbreite entsprechend der Regelung (voltage mode, current mode)
anpasst? Pulsbreite ist also irgendwas zwischen 0 und 100%.
Wenn der Übertrager also mit einer sehr kurzen Pulsbreite betrieben
wird, dann stimmt doch die ganze Regelung des DCDC Wandlers nicht mehr -
das ist auch blöd.
Wäre es deshalb nicht einfacher, nach dem PWM controller das Signal auf
einen reinen Wechselspannungsanteil aufzusplitten und das dann mit der
richtigen Pulsbreite in den Übertrager zu schicken.
So wirklich den Aha Effekt habe ich noch nicht - irgendwie stelle ich
mich zu doof an :/
Oh Mann, oh Anfänger. Du hast doch jetzt die Info IGBT und willst wissen
wie man diesen ansteuert.
Wie wäre es denn du sucht nun endlich mal in einer Suchmaschine mit den
Worten IGBT ansteuern!
Schau dir einfach mal ein paar Datenblätter von IGBT-Gate-Treibern an,
z.B. Avago ACPL-333J.
Für IGBTs wie auch für Mosfets gilt, dass sie mit 0V Gate-Spannung aus
sind. Allerdings kann man durch eine negative Gate-Spannung den
Ausschaltvorgang schneller und zuverlässiger machen, speziell bei harter
Kommutierung.
Bei einem sehr schnellen di/dt entstehen an den parasitären
Induktivitäten leicht mal Spannungen im Bereich von einigen V, was dazu
führen kann, dass ein IGBT oder Mosfet ungewollt einschaltet, wenn man
ihn extern mit 0V Gatespannung ansteuert. Bei einer Gatespannung im
Bereich -5 .. -10V hat man einfach mehr Sicherheit, gleichzeitig werden
die Ausschaltverluste geringer.
Anfänger schrieb:> In diesem ganzen Thread geht doch nur darum:>> Wie kriege ich aus 0...Vcc von meinem PWM controller +-Vcc bzw. +-Vcc/2> so dass ich das Signal in einen Übertrager einspeisen kann?
So einfach ist das nicht ... Man darf die praktische Anwendung nicht
vernachlässigen, denn je nach Anwendung gibt es gute, bessere,
schlechtere Wege.
Brauchst du z.B. einen Level-Shifter von 0...Vcc zu +-Vss oder +-Vss/2
mit 1kHz und 5mA gibt es andere Lösungen, als wenn du 1MHz mit 1A
Umladestrom brauchst.
Daher sind solche hypothetische Konstrukte fast immer sinnfrei.
Was soll am IGBT "schwerer" als am Fet sein?
Wenn das Gate niederohmig auf 0V gehalten wird gibts auch keinen Grund
für negative Gatespannung.
In einer Brückenanordnung kann bei hartem Schalten durch hohes di/dt die
Millerkapazität das Gate aufgeladen werden und einen Brückenschluss
verursachen. Dabei kann es Sinn machen, das Gate negativ zu Laden und
mehr Abstand zum Threshold zuhaben.
Allerdings nicht über einen AC-gekoppelten Trafo, denn bis der
Koppelkondensator seine Biasspannung erreicht hat, ist der Gateimpuls
nicht negativ genung um einen Shoot-Throgh zu verhindern. Gerade bei
stärkeren Resoanzwandler mit IGBTs (aber auch MOSFET), welche im
Normbetrieb weich schalten, ist dies ein Problem. Denn die ersten paar
Pulse wird hart geschaltet mit hohem du/dt und genau die ersten Pulse
ist Koppelkondensator noch ungeladen. Da gibts Abhilfe wie extra
Abschalt- oder "Niederhalttransistoren". In den Treibern auch als
"Active Miller Clamp" bezeichnet.
Also passeden Treiber nehmen und gut ist.
