JFet Spice Modell, Verständnisfrage

Tilo Gast #2647172
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Hallo

Ich will einen JFET verwenden und vorher einige Simulationen 
durchführen. Ich will den MMBFJ113 verwenden. Bei Fairchild habe ich nur 
ein Modell für den 112 gefunden. Hier das Spicemodell:
1
*************** Discrete Switch N-Channel Electrical Model *********************

2
* Product: MMBFJ112 / MMBFJ111 / MMBFJ113

3
* Package: SOT-23 

4
*-------------------------------------------------------------------------------

5
.MODEL MMBFJ112 NJF

6
+ VTO=-1.6800         N=1                   BETA=5.002E-003

7
+ BETATCE=-0.46       RD=0.334              RS=0.334            

8
+ LAMBDA=0.00398      IS=181.30E-15         ISR=1.7470E-12

9
+ ALPHA=2.5430E-6     VK=152.20             CGD=6.9920E-12      

10
+ CGS=13.267E-12      M=0.49314             PB=1.4440  

11
+ FC=0.5              KF=16.860E-27         AF=1.1208E-3        

12
+ VTOTC=-2.10E-3

13
*-------------------------------------------------------------------------------

14
* Creation: Dec.-24-2004

15
* Fairchild Semiconductor


Ich veruche gerade das Modell zu verstehen. Unter 
http://people.ee.duke.edu/~hcc/DEVICE/node12.html habe ich eine 
Erklärung von ein paar Spice-Parametern gefunden. Kennt jemand zufällig 
eine vollständige Liste?

Was mich wundert. Im Datenblatt ist beim 112 Rds(on)=50Ohm angegeben. 
Warum steht im Modell 0,334Ohm?

Der 113 unterscheidet sich zum 112 in: Vgs(off), IDss und Rds(on).
Nach dem ich das Modell verstanden habe, würde ich es gerne auf den 113 
anpassen.
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Tilo Gast #2647218
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Ok, das kommt hin.
Die Unterschiede sind laut Datenblatt:
            112            113
Vgs(off)    -1..-5V        -0,5..-3V
Idss        5mA            2mA
Rds(on)     50Ohm          100Ohm


Rds(on) ist für meine Anwednung relativ egal, allerdings soll Idss nicht 
zu groß werden und für die Bestimmung des Arbeitspunktes macht es schon 
einen Unterschied. Da ich die Modellparameter noch nicht interpretieren 
kann weiß ich noch nicht, ob das Modell vom 112er ohne Änderungen auf 
den 113er übernommen werden kann.
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Tilo Gast #2647317
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Ich will FET nicht als Schlater sondern im ohmschen Bereich betreiben. 
Du hast recht, ich habe Idss ein wenig falsch interpretiert, bin aus der 
Übung :)
In diesem Fall ist für mich der Minimalwert schon relevant.

Hast du deine Ergebnisse nur aus der Simulation oder aus dem 
Modellparametern abgeleitet?
Ich habe bei meiner Simulation ein Ugs(off) von -1,56V erhalten. Für den 
112 scheint das auch zu passen, allerdings wäre der Wert für den 113 zu 
niedrig und der 113 würde schon sperren wähend der 112 noch durchlässig 
wäre.
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