Leistungsstufe von µC trennen

OP #2702794
Hallo Community
Ich plane gerade ein Layout. Ich habe in der Schaltung MOSFETs + Treiber 
und frage mich gerade, wie ich am besten verhindern kann, dass sich die 
hohen "Schaltspitzen", die die MOSFET-Treiber verursachen sich nicht 
ganz so negativ auf die Spannungsversorgung des µCs auswirken. 
Gleichzeitig sollte natürlich immer noch ein sicheres Schaltverhalten 
aufrecht erhalten werden.

Ich würde jetzt ganz spontan sagen, die Leistungsstufe (MOSFETs + 
Treiber) auf eine Masseinsel und nur mit Stegen mit der Masse der 
restlichen Schaltung verbinden(da weiß ich eben nicht, ob sich das 
negativ auf das Massepotential auswirkt, wäre nett, wenn mich da jemand 
aufklären würde).
Außerdem würde ich in die +5V/+12V Versorgung der Leistungsstufe 
highside noch eine Induktivität stecken (macht das Sinn?).

Ich bin dankbar für jede Kritik an diesen Ideen und noch dankbarer für 
bessere Vorschläge.

Gruß
Sam
#2702811
Hallo Sam,

was die Masse angeht würde ich dir dringend zu einer Stern-Anordnung 
raten, wenn nicht sogar zu einer durchgehenden Masselage. 
Stern-Anordnung bedeutet, dass vom Eingangspunkt der Masse, der Punkt wo 
die Spannungsversorgung an die Platine kommt, Masseleitungen zu den 
einzelnen Teilen gehen, also eine dicke Masseleitung zu den MOSFETs und 
eine weitere zum µC. Damit verhinderst du, dass der Spannungsabfall 
durch den Schaltstrom der MOSFETs auf die Masse für den µC addiert wird, 
sollte die Masseleitung erst zu den MOSFETs und dann weiter zum µC 
gehen. Weiterhin empfehle ich entsprechende Stützkondensatoren bei den 
MOSFETs und bei einer hohen Schaltgeschwindigkeit (dU/dT) keramische 
Kondensatoren, bzw. R/C-Glieder für die dadurch anfallende Hochfrequenz.

Gruß
Karlheinz
OP #2702870
Also die Masse der Leistungsstufe auf jeden Fall nicht direkt mit der 
des µC verbinden, nur über eine "Kontaktstelle", ok?

Die Stützkondensatoren hielt ich für selbstverständlich, die müssen 
natürlich sein.

Wie siehts damit aus, die Versorgungsspannung der Leistungsstufe per 
Induktivität mit der des µC zu trennen?

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