Floating Gate Transistor

NormalerTyp Gast #2777561
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Hallo an alle,

da ich aus den Einträgen in diversen Internet Enzyklopädien nicht schlau 
geworden bin, wende ich mich jetzt an die Experten. Ich habe ein 
grundlegende Frage zu der Funtionsweise von Floating-Gate-Transistoren. 
Bei "normalen" Transistoren verstehe ich ja, warum sich die 
Raumladungszone verbreitert oder warum nicht. Hier besteht ja eine 
direkte elek. Verbindung zu der p-Schicht zwischen den n-Schichten (oder 
halt umgekehrt bei pnp). Aber wie wird die Zone beeinflusst bei einem 
Floating-Gate-Transistor? Nur durch das elektrische Feld des geladenen 
Gates? Dieses Feld ist so stark, dass es die Raumladungszone so stark 
beeinflusst? Oder funktioniert es auf anderem Weg?

Vielen Dank im Voraus,

NormalerTyp
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Axel H. #2777576
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im prinzip wird auf dem control-gate ein so hohes e-feld 
"angelegt/erzeugt", dass ein paar elektronen vom contoll gate ins 
floating gate tunneln(tunneleffekt).
Also flutschen ein paar elektronen, mit relativ energie, durch die 
isolationsschicht durch.

Aber der Floating-Gate-Transistor ist ein FET/MosFET(unipolarer 
transistor)
und kein bipolarer transistor...



hier is es nach mal erklärt
http://de.wikipedia.org/wiki/Floating-Gate-Transistor

und hier noch der tunneleffekt:
http://de.wikipedia.org/wiki/Tunneleffekt

Feldeffekttransistoren:
http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistoren
http://de.wikipedia.org/wiki/MOSFET
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NormalerTyp Gast #2777579
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Aber warum bleibt der Kanal dann dauerhaft leitend, auch wenn keine 
zusätzlichen Elektronen in das Floating Gate vom Control Gate aus 
tunneln? Das n geladen Floating Gate hat dann wirklich einen so hohen 
Einfluss auf den Kanal darunter? Oder funktioniert das Prinzip bloss, 
weil die Isolationsschicht zwischen p-Substrat und FGate relativ klein 
ist?


NormalerTyp
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Axel H. #2777599
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@NormalerTyp
schau dir mal an wie die unipolaren Transitoren funktionieren
FET's arbeiten mit spannungen/kapazitäten und nicht mit strömen

das foating-gate und der (bulk)/source bilden einen kondensator
und je höher das elektischefeld zwischen dem foating-gate und dem 
bulk/source ist, umsobesser leitet der FET
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Axel S. #2777808
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NormalerTyp schrieb:

> Aber warum bleibt der Kanal dann dauerhaft leitend, auch wenn keine
> zusätzlichen Elektronen in das Floating Gate vom Control Gate aus
> tunneln?

1. Der Kanal bleibt nicht dauernd leitend. Das normale Gate wird 
weiterhin zur Addressierung der Speicherzelle verwendet.

2. die Ladung auf dem floating gate verschiebt die Schwellspannung 
(Threshold Voltage) des FETs.

Wenn keine Ladung auf dem FG ist, dann schaltet der FET beim Lesen nicht 
durch, weil seine Schwellspannung höher ist als die zum Auslesen 
angelegte Gatespannung. Erst mit der zusätzlichen Ladung auf den FG 
reicht die Gatespannung zum Durchschalten des FETs beim Auslesen.

Wenn du gern magst, stell dir das FG einfach als einen zweiten 
Gateanschluß vor, der von einem Kondensator auf fester Spannung gehalten 
wird.

Beim Löschen wird der Kondensator entladen und beim Programmieren werden 
bestimmte Kondensatoren geladen.


XL
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