Heey :)
Ich hab heute in meiner Bastelkiste einen IRFZ648 Mosfet gefuden und
damit dann gleich einmal einen Lüfter angesteuert. Hat auch echt gut
geklappt so mit Poti ans Gate war voll schnell und einfach aufgebaut.
Sooo dann hab ich versucht den Strom zu begrenzen also ihr wisst schon
wenn man Kurzschluss am Lüfter baut dass dann der Mosfet ned stirbt und
was passiert... der Transistor fliegt mir um die Ohren. Hab alles
versucht aber immer knallt's. Hab Schaltplan hier angehängt ich weiß
einfach ned warum es mir den Transi immer verreisst.
R2 ist der Lüfter, Strom fliegen im normalen Betrieb ca. 200mA und mehr
sollten es au ned werden. Der Shunt (R1) hat 10Ohm, hatte zuerst einen
0,1Ohm drin aber da war der Spannungsabfall zu gering um den Transistor
durchzusteuern.
So bitte bitte helft mir ich will das verstehen wie es funktioniert!!
Daaanke xD
20 V ist das max. am Gate, bei 14V lief der Lüfter auf Vollgas.
Fet ist ok, Spannung am Gate war auch nie zu hoch.
Sobald ich R2 kurzschließe brennt der Transistor durch und ich weiß
nicht warum :(
digga schrieb:> Warum darf R3 nicht kleiner als 24 Ohm sein?
Weil Q2 den Strom durch R3 ableiten muß. Bei 24V und 24R immerhin 1A.
> R3 ist ein 500 Ohm Poti.
Aha. Warum überhaupt ein Poti? Und warum ein so niederohmiges? Und
glaubst du ernsthaft, du könntest die Gatespannung an einem MOSFET mit
einem Vorwiderstand einstellen? Wie groß ist nochmal der Gatestrom und
wieviel Spannungsabfall wird der an 500R hervorrufen?
Aber wahrscheinlich ist dein MOSFET einfach nur abgeraucht (Kurzschluß
mit 3 Beinen) und wenn du R2 kurzschließt, verheizt der Transistor
einfach 24V * alles was das Netzteil an Strom hergibt.
XL
Axel Schwenke schrieb:> Aha. Warum überhaupt ein Poti? Und warum ein so niederohmiges? Und> glaubst du ernsthaft, du könntest die Gatespannung an einem MOSFET mit> einem Vorwiderstand einstellen? Wie groß ist nochmal der Gatestrom und> wieviel Spannungsabfall wird der an 500R hervorrufen?
Keine Ahnung wie hoch der Gatestrom ist...
Warum nicht mit einem Poti? Wie sonst?
> Aber wahrscheinlich ist dein MOSFET einfach nur abgeraucht (Kurzschluß> mit 3 Beinen) und wenn du R2 kurzschließt, verheizt der Transistor> einfach 24V * alles was das Netzteil an Strom hergibt.
Ne Mosfet ist ok, ganz sicher.
Ah, jetzt seh ichs erst... Der Strom fließt ja dann komplett über den
Transistor.
Aber warum eigentlich? Der Fet ist doch viel niederohmiger?!
ein N-Mos im Nigh-Side ist eine sehr schlechte Idee, ohne Bootstrap...
Wie wie bekommst Du die positive GS-Spannung her? In Deiner Anwendung
solltest Du den N-Mos entweder gegen Masse schalten oder nen P-Mos
verwenden.
Gruß,
Michael
Michael, hier arbeitet jeder Anfänger immer irgendwie mit NMOS-FETs bzw.
NPN Transistoren High-Side...ich weiss auch nicht, woher das kommt, aber
irgendwie scheint sich das solangsam durchzusetzen :P Bei 60% der hier
erfragten Schaltungen ist das so...ich finds traurig, dass die Leute
immer alles wollen, aber sich nicht mal die Grundlagen durchlesen
möchten ;)
Gruß Christian
digga schrieb:> Keine Ahnung wie hoch der Gatestrom ist...
Du weißt, wofür "FET" steht. Das passt (zufällig) auch für die deutsche
Bezeichnung und heißt "Feld-Effekt-Transisitor". Das Gate wirkt durch
die elektrische Wirkung des Feldes auf den DS-Kanal, ergo fließt kein
statische Strom. Das drückt auch das Schaltbild aus ;-)
> Warum nicht mit einem Poti? Wie sonst?
Weil du das auf 0 stellen kannst und dann nur dein Netzteil den Strom
begrenzt.
digga schrieb:> Sobald ich R2 kurzschließe brennt der Transistor durch und ich weiß> nicht warum :(
Welcher Transistor? (Hinweis: auch ein FET ist ein Transistor)
digga schrieb:> Aber warum eigentlich? Der Fet ist doch viel niederohmiger?!
Aber genau dann nicht, wenn die Strombegrenzung einsetzt. Dann soll der
FET doch abgeschaltet werden.
Gruß Dietrich
Ok alles klar ich hab's jetzt mit Low Side Schaltung gelöst und so
sollte es doch funktionieren, oder?
Das mit dem dass ich keinen Poti verwenden darf hab ich nicht
verstanden, wie soll ich denn sonst die Spannung am Gate einstellen? Ab
4V schaltet ein Mosfet ja durch und dann regel ich doch mit der Spannung
den Widerstand Rdon, oder nicht?
Und nochmal zur Verdeutlichung, der BC639 rauchte mir immer ab. NICHT
der FET.
Nachtrag:
Kann das sein dass es wegen dem Poti nicht geht? Weil ich mein der BC639
begrenzt war die Gatespannung bzw. zieht diese dann auf GND aber das
bedeutet ja dass dann der Strom über das Poti und den BC639 fließt.
D.h. ich bräuchte eine seperate Gatesteuerung, oder? Wie könnte ich das
realisieren?
Kurz zur Klarstellung wo Dein Problem herkommt. Wie Du sicher im
Datenblatt gelesen hast ist der Maximalstrom des BC 639 1A. Falls Du
Deine Schaltung so machst das Du da rueber kommst (z.B. R1=0 und Poti
klein) geht er kaputt.
Nimm ein 10k Poti oder größer.
Den Schleifer auf das Gate die untere Seite des Poti auf GND.
Auf der 24V Seite noch einen 1k Widerstand in Serie.
Basiswiderstand des BC639 auf 2k2 erhöhen.
Ja stimmt das war noch immer Highside...
Irgendwie finde ich Low Side einfach komplizierter vorzustellen, High
Side ist halt logischer weil man den + schaltet aber klar man hat das
Problem mit dem GND.
Deine Schaltung ist immer noch kompletter Unsinn.
Was soll der Q3 in deiner Schaltung?
Wenn die Strombegreznung einsetzt fliegen die Q2 und Q3 um die Ohren.
Um die Spannung vernueftig einstellen zu koennen brauchst du einen
Regler in der Schaltung. So macht dein FET ab einem bestimmten Punkt auf
und das wars dann. Du must die Ausgangssppannung messen und mit einem
Sollwert vergleichen und daran deinen FET mehr oder weniger aufmachen.
digga schrieb:> So besser?> Mit seperater Ansteuerung des Gates am Fet?
Immer noch genauso dämlich.
Was du immer noch nicht verstanden hast: du kannst die Spannung am
Gate des FET nicht mit einem Vorwiderstand einstellen. Und zwar
deswegen, weil da kein Strom fließt. Der Wert des Widerstands spielt
deswegen praktisch keine Rolle, am Gate liegen immer 24V an.
Wenn schon, dann müßtest du das Poti auch als solches verwenden und
nicht nur als einstellbaren Widerstand. Also ein Ende des Potis an 24V,
das andere an GND und vom Schleifer über einen Widerstand 10K ans Gate.
Um den FET zu schützen, muß dann noch eine Zenerdiode 18V vom Gate nach
Source. Und jetzt kannst du mit dem Poti auch die Spannung über R2
einstellen.
Für die Strombegrenzung kannst du jetzt die erste Schaltung verwenden.
Wobei der Transistor direkt ans Gate geht (nach dem 10K Widerstand).
Über H-Side vs. L-Side unterhlten wir uns dann ein anderes Mal.
XL
digga schrieb:> Ja stimmt das war noch immer Highside...
Genauso wie diese Schaltung.
Die Kritik war auch nicht "er macht das H-Side", sondern "er macht das
H-Side mit einem n-FET".
> Irgendwie finde ich Low Side einfach komplizierter vorzustellen, High> Side ist halt logischer weil man den + schaltet aber klar man hat das> Problem mit dem GND.
Nicht mal ansatzweise richtig.
Das Problem ist dies: ein n-FET auf der H-Side arbeitet als
Spannungsfolger. Die Ausgangsspannung ist immer um die (für den
abgerufenen Strom erforderliche) Gate-Source-Spannung des FETs niedriger
als die Spannung am Gate. Wenn du sagen wir mal 1A abforderst und der
FET dann 4V zwischen Gate und Source braucht, dann kommen maximal 20V am
Lastwiderstand an, auch wenn du das Gate fest an 24V klemmst. Die
restlichen 4V*1A verheizt der FET.
Um mit einem n-FET einen effizienten H-Side Schalter zu bauen, braucht
man eine Gate-Steuerspannung die größer ist als die Betriebsspannung. Im
obigen Beispiel 28V. Dann könnte der FET voll durchschalten und fast die
gesamten 24V an den Lastwiderstand abgeben.
Integrierte H-Side Schalter (z.B. die TopSwitch Familie) integrieren
dazu eine Ladungspumpe. Aber wenn man das diskret machen will, dann
nimmt man besser einen p-FET auf der H-Side. Oder legt den n-FET als
Schalter auf die L-Side.
XL
Muahahaha schrieb:> Hey digga,>> warum probierst Du es nicht einfach mit einem simplen Stromspiegel?> Da hast Du weniger stress.
Oh mein Gott. Noch ein Blinder, der über Farben redet...
Dieser Thread ist ja kaum auszuhalten :-)
@digga
Kannst Du uns mal erzählen, was das Poti in Deiner Vorstellung bewirken
soll?
Ich vermute/wir vermuten, es soll eine einstellbare Ausgangsspannung
oder Maximalstrom werden. Für beide Fälle sind aber alle bisher
gezeigten Schaltungsvarianten nicht zu gebrauchen.
Konzentriere Dich!
digga schrieb:> Irgendwie finde ich Low Side einfach komplizierter vorzustellen, High> Side ist halt logischer weil man den + schaltet aber klar man hat das> Problem mit dem GND.
Irgendwie bist du sehr resistent gegen Vorschläge.
Also Sinn der Sache soll sein dass ich die Lüfterdrehzahl regulieren
kann (mittels Poti) und dass ich, falls ich den Lüfter kurzschließe eine
Strombegrenzung habe.
Das Ganze soll übrigens nur zur Übung gelten. Ich weiß dass es für die
Lüftersteuerung bessere Methoden gibt, im Grunde geht es mir hier auch
viel mehr um die Strombegrenzung dass der FET nicht abraucht.
Das mit dem Poti und der Gatespannung habe ich mittlerweile glaube ich
verstanden.
Laß Dich mal nicht aus der Ruhe bringen. Deine Schaltung ist zwar Murks,
aber Du kannst das ganze Konzept nochmal überdenken. Auf jeden Fall mach
nicht das, was der Schwenke geschrieben hat. Da machst Du aus Murks noch
mehr Murks. Mit solchen Horsts arbeite ich öfters. Die machen aus einem
kleinen Problem eine Schaltung mit 50 Transistoren.
Muahahaha schrieb:> Die machen aus einem> kleinen Problem eine Schaltung mit 50 Transistoren.mal am Rande um den Funfaktor zu erhöhen
Ich fände das allerdings auch ziemlich amüsant anzusehen wenn 50
Transistoren gleichzeitig in Rauch aufgehen...
Pack den MOSFET LowSide, dein Poti dann an das Gate, maximale Spannung
am Gate beachten, also noch einen Widerstand vor das Poti, parallel zum
Lüfter eine Diode und zum Schluss eine Sicherung vor deinen Lüfter. 0.2A
Feinsicherung ist eine gängige Größe und einfach aufzutreiben. Sollte
das Problem mit dem zu hohen Strom aus analoger Sicht am einfachsten
lösen :)
Muahahaha schrieb:> Mit solchen Horsts arbeite ich öfters. Die machen aus einem> kleinen Problem eine Schaltung mit 50 Transistoren.
Jedenfalls wollen sie der Einfachheit halber nicht den doppelten Strom
verbraten als eigentlich nötig :)
Gruß Christian
Christian Str schrieb:> Jedenfalls wollen sie der Einfachheit halber nicht den doppelten Strom> verbraten als eigentlich nötig :)
Ja. Stimmt schon. Gibt auch asymmetrische Stromspiegel
Christian Str schrieb:> Pack den MOSFET LowSide, dein Poti dann an das Gate, maximale Spannung> am Gate beachten, also noch einen Widerstand vor das Poti, parallel zum> Lüfter eine Diode und zum Schluss eine Sicherung vor deinen Lüfter. 0.2A> Feinsicherung ist eine gängige Größe und einfach aufzutreiben. Sollte> das Problem mit dem zu hohen Strom aus analoger Sicht am einfachsten> lösen :)
Danke für den Vorschlag aber ich hab mir selbst eine Aufgabe gestellt
und diese lautet den Strom automatisch zu begrenzen.
Sicher ist die Lösung mit der Sicherung auch ok aber das kann ich schon
;-)
So nun ein erneuter Versuch, diesesmal den N-Channel FET auf die L-Side.
Bei einem Kurszschluss bei R1 (also dem Lüfter) fällt an R2 eine hohe
Spannung ab und lässt Q2 durchschalten. Und genau jetzt komm ich an mein
Problem bei einer Low Side Schaltung. Wenn ich den Lüfter kurzschließe
dann liegen ja quasi direkt an R2 und somit auch am Emitter von Q2 die
24V an was den FET ja nicht sperrt sondern noch weiter öffnet. Wisst Ihr
was ich meine?
Das macht alles keinen Sinn.. ich komm nicht drauf :( Ich möchte doch
nur den Spannungsabfall an R2 messen, damit Q2 ansteuerung der dann das
Gate von Q1 auf GND zieht. Ist diese Überlegung denn so falsch? Ich
krieg's nicht hin.
Wenn ich bei einer L-Side Schaltung den Strom an R2 messen will dann
liegt der Emitter von Q2 doch immer auf +24V im Falle eines
Kurzschlusses...
digga schrieb:> Ich möchte doch> nur den Spannungsabfall an R2 messen, damit Q2 ansteuerung der dann das> Gate von Q1 auf GND zieht.
Richtig. Aber WO muss denn wohl Q2 sitzen, wenn er das G von Q1 nach GND
ziehen soll?
Stell dir einfach mal vor, Du selbst würdest die Strombegrenzung per
Handbetätigung machen. Welches Bauteil nimmst Du dafür und wo seine
Anschlüsse dran?
Im letzten Schaltbild kann dein Transistor nicht Schalten weil die
BasisEmitterspannung negativ ist dafür bräuchtest du einen PNP
Transistor.
Der Grund warumd ein Transistor im ersten Bild abgeraucht ist dieser
weil du seine Ib max überschritten hattest.
Beim Kurzschluss an R2 lag an R1 eine Spannung von 21+ Volt an dadurch
fällt am Vorwiderstand der Basis eine Spannung größer 20V (Ur2-Ube) ab
die eine Strom von 200mA gibt und das ist glei IBmax mit 200mA
Hi,
wie wär's mit so etwas?
Wichtig ist aber, dass so einfache Stromregler fast immer seltsame
Abhängigkeiten aufweisen -> wenig Temperaturstabil und (speziell bei
dieser) eine starke Abhängig von der Eingangsspannung.
Grüße
derjoe
Die erste Schaltung ist falsch, aber kann man leicht abändern:
1.Was willst Du damit einstellen?
Ein FET ist spannungsgesteuert. D.h. egal wie groß das Poti ist, er
kriegt am Gate immer 24V.
Du mußt es als Spannungsteiler schalten, also von GND nach 24V.
Und da der FET keinen Strom braucht, nimm 10k .. 100k.
2.Der Q2 soll bei Überstrom den Eingang kurzschließen. Das macht er auch
bis zur Selbstopferung. Du hast nämlich den Strombegrenzungswiderstnd
vergessen
Also einfach noch 10k in Reihe zum Schleifer.
Und schon funktionert alles.
Peter
strom1.png
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