Hallo, ich möchte eine Versorgungsspannung von 3.3V mit einem MSP430 durchschalten, jedoch weiß ich nicht warum der p-Kanal Mosfet nach dem durchschalten nicht mehr ausgeschalten werden kann. In den Bildern sieht man den Aufbau sowie eine Simulation der Schaltung. Wär super wenn mir jemand helfen könnte :) Gruß
sepp huber schrieb: > In den Bildern sieht man den Aufbau sowie eine Simulation der Schaltung. Bei so hochohmigen Lasten (R6 und RL) und 30ns Periodendauer geht das nicht. Die Transistoren sind viel zu langsam, zumindest beim Abschalten. Besonders das Entladen der Gate-Kapazität von U2 über 500kOhm dauert sehr lange. Gruß Dietrich
Gast
#2905896
sepp huber schrieb: > jedoch weiß ich nicht warum der p-Kanal Mosfet nach dem > durchschalten nicht mehr ausgeschalten werden kann. > In den Bildern sieht man den Aufbau sowie eine Simulation der Schaltung. Der 500 kOhm Widerstand braucht halt seine Zeit, bis er die Kapazität des p-Kanal Mosfet entladen hat. Gruß
Gast
#2905900
Sehr wahrscheinlich deshalb, weil du die Gate-Kapazität des U3 nicht mit 500k innerhalb von 30ns entladen kannst. Fahrkarte: 10nF GS-Kapazität, 500kΩ, ergibt eine Zeitkonstante von rund 30ms. Vielleicht ist auch noch der erste nMOS zu langsam. Simuliere einfach mal im ms-Bereich und schaue dir die Flanken, Verzögerungszeiten etc. an.
Alles über 10k ist wie ein Nichtleiter zu betrachen, wenn es um schnelle(re) Schaltanwendungen geht.
Danke für die schnellen Antworten. Jetzt ist alles sonnenklar :) Hab die kleinen Schaltzeiten ganz übersehen. Gruß
Auf Grund des Ids_off Leckstromes des ersten Mosfets und des Igs Leckstromes des zweiten Mosfets sind 500kOhm viel zu hoch egal wie schnell du schalten willst. So etwas gibt allerdings das Simulationsmodell nicht her. Da musst du ins Datenblatt schauen.
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