Mosfet H Brücke / P Mosfet wird warm

Gast #2927974 
Hallo,
ich habe ein Problem mit meiner Schaltung (siehe Anhang) und zwar werden 
die P-Mosfets warm, auch wenn nichts am Ausgang angeschlossen wird. Ist 
INA und INB Low, so funktioniert alles. Sobald INA+INB High sind machen 
die Mosfets einen Kurzschluss bzw die P-Mosfets werden warm.

Pwm Frequenz beträgt 64Hz, die Mosfets wurden aus einem Brushless Regler 
ausgebaut.
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Gast 
Wie ich gerade sehe steht in dem Datenblatt der Mosfets beim IRLR7833 
z.b. eine Gate Treeshold voltage von max 2,3V und beim anderen auch so 
2-3V.
Des weiteren war auf dem Brushless Regler ein 2,6V Spannungswandler 
sowie ein Atmega8L. Ist meine Gate Spannung also zu hoch und sie werden 
deshalb warm?
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Deine Beschaltung des Mosfet-Treiber ist murks!
Wenn ein Ausgang des Treibers aktiv ist, dann gibt dieser Vcc an seinem 
Ausgang raus...bei dir sind das 5V.
In diesem Fall ist der N-Kanal-Mosfet aufgesteuert weil seine 
Gate-Source-Spannung 5V beträgt. An dem P-Kanal-Mosfet liegen an 
Gate-Source eine Spannung von -7V (=5V-12V), d.h. dieser wird auch 
aufgesteuert und deswegen hast Du einen Lurzschluß zwischen 12V und GND. 
Und da der P-Kanal-Mosfet einen höheren Rdson hat wir dieser als erstes 
warm.

Du mußt den Treiber also mit 12V versorgen oder deine Schaltung 
verändern!
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Gast 
Hallo, wenn ich den Treiber mit 12V Versorge, dann komme ich doch weit 
über die Gate Threshold Spannung von 2,3V ist das denn dann schlimm?

Falls nicht, ist die Möglichkeit den Treiber mit 12v zu versorgen ja am 
einfachsten.
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Gast 
Nico ... schrieb:
> 2,3V ist die Gate-Source-Spannung bei der der Mosfet anfängt zu leiten!Beide 
Mosfets vertragen min. 20V an Gate-Source!


Glas habl voll oder leer :-)

Ich würde eher sagen, der N-Kanal macht maximal 20V, der P-Kanal 25V 
V_GS.
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Gast 
Jul schrieb:
> Ich teste es jetzt mal mit 12V am
>
> Treiber und sage dann bescheid ob es klappt

Du wirst dennoch warme Transistoren bekommen, da der N-Kanal-MOSFET 
wesentlich schneller einschaltet als der P-Kanal-MOSFET aus.
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Gast 
Baue mal vor jedes Gate eine parallele Dioden-Widerstandskombination ein 
(schnelle Diode, R~10Ohm).

Beim Ausschalten muss die Diode leiten, damit das Gate schneller 
ausschaltet.

Joe
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Gast 
Gregor B. schrieb:
>> Ich teste es jetzt mal mit 12V am
>>
>> Treiber und sage dann bescheid ob es klappt
>
> Du wirst dennoch warme Transistoren bekommen, da der N-Kanal-MOSFET
> wesentlich schneller einschaltet als der P-Kanal-MOSFET aus.

Der Effekt ist minimal eine Verbesserung sollte das auf jeden Fall 
bringen.
Wir warten gespannt auf den Erfahrungsbericht.
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