RDSon als f(t)??

Daniel Gast #2988732 
Nabend,

ich wollte gerne den RDSon eines p-Kanal FET's als Shunt nutzen.
Bei den ersten Tests habe ich nun bemerkt, dass sich der RDSon langsam 
einschwingt. Nach ca. 3s komme ich erst in die Region die im Datenblatt 
spezifiziert ist (ca. 17mOhm).

Das ganze im Testaufbau mit einem 10 Ohm Widerstand als Last und 10V 
Spannung, sodass 1A fließen. Also laut Netzteil fließen ab der ersten 
Sekunde die 1A, aber der Spannungsabfall über den FET sinkt erst nach 
ca. 3 Sekunden auf den Sollwert.

Ist das Verhalten normal? Oder mache ich was falsch?

Gruss Daniel
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Der Gast #2988736 
Wie hoch ist die Gate-Source-Spannung? Die Datenblätter geben das 
normalerweise bei 10V an. Außerdem ist dort auch der Messstrom 
angegeben. Vielleicht liegst du mit 1A darüber?
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Daniel Gast #2988755 
UGS beträgt 10V und bei dieser Spannung ist auch der RDSon angegeben.

Der Spannungsabfall über den FET sinkt von ca. 50mV auf ca. 17mV, also 
dem spezifizierten RDSon.
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Daniel Gast #2988759 
Da ich eigentlich nur Exemplar brauche, würde ich das einmalig im 
Mikrocontroller kalibrieren. Der RDSon ist weitestgehend linear über der 
Temperatur.

Also Temperatur im AVR messen und korrigieren. So hatte ich das vor.
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Daniel Gast #2989022 
Danke für den Hinweis, habe ich noch garnicht dran gedacht.

Ich steuer den FET über einen NPN (Invertierung, 1k nach +10V) an.
Kann den Widerstand testweise mal kleiner machen und gucken ob sich was 
verbessert.
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