Hallo! Ist es möglich, einen SDRAM-Baustein, zum Beispiel [1], z.B. bei einem Drittel der Taktfrequenz zu betreiben (z.B. 50MHz) oder kommen die dann durcheinander (Refresh und so)? Im Datenblatt ist nur eine Minimalzeit für die Clock-Cycles angegeben (aber kein Maximum). Grüße, Sven ____ [1] http://www.farnell.com/datasheets/1605256.pdf
Gast
#2991164
Haha du bist geil ! Natürlich geht das.
So unsinnig finde ich die Frage nicht. Immerhin könnte es zum Beispiel sein, dass die Refresh-Logik auf einen Takt von 100MHz ausgelegt ist, und wenn der tatsächliche Takt deutlich geringer ist, ist die Refresh-Rate für die Speicherzellen zu klein. Bist du sicher, dass das nicht der Fall ist? Steht das irgendwo, oder hast Du es schon ausprobiert? ;) Grüße, Sven
Gast
#2991197
Sven B. schrieb: > Im Datenblatt ist nur eine Minimalzeit > für die Clock-Cycles angegeben (aber kein Maximum). Datenblatt wirklich lesen, hilft oft weiter: Seite 1: • Refresh – 64ms, 4,096-cycle refresh (15.6μs/row) (commercial, industrial) – 16ms, 4,096-cycle refresh (3.9μs/row) (automotive) soll heißen: mindestens aller 64ms 4096 Refresh-Zyklen (oder aller 15µs ein Refresh-Zyklus) --> grob geschätzt läuft das auch noch mit MHz-Takt Detaillierte Erläuterungen einschliesslich Taktschemata finden sich im Datenblatt unter "Refresh" Gruß Jörg
Ja, aber die Frage, die ich nicht beantworten kann, ist: "Woher nimmt der Baustein die Information, dass 15us vergangen sind?" ;)
Gar nicht. Der Hersteller sagt, dass eine Zeile den Inhalt maximal 64ms ohne Refresh sicher hält. Wenn es 4096 Zeilen gibt, gibt das eben einen mittleren Refreshabstand von 15us. Du kannst die Refreshs natürlich auch im Burst machen (dürfte so 250us dauern). Dummerweise will die CPU aber auch noch zugreifen, deshalb ist das mit dem Burst eher unpraktisch :) Nett ist, dass die Gesamtrefreshzeit trotz immer kleinerer Kapazitäten auch immer so gestiegen ist, dass pro Zeile 15us rauskommen, und das so grob seit 1980...
Gast
#2991271
Georg A. schrieb: > Nett ist, dass die Gesamtrefreshzeit trotz immer kleinerer Kapazitäten > auch immer so gestiegen ist, dass pro Zeile 15us rauskommen, und das so > grob seit 1980... Das liegt daran, dass der gleiche Mechanismus, der die Kapazität verkleinert, in sehr ähnlichem Maße auch die parasitäre Leitfähigkeit verkleinert - nämlich die Strukturgroße ;-)
Andersrum gesehen: Wenn die Refresh-Zeit mit der Kapazität gesunken wäre, dann würde der Speicher heute nur noch mit Refresh beschäftigt sein, ohne nennenswert Zeit für den Zugriff zu haben. So entschlossen sie sich schweren Herzens, die Parameter entsprechend beizubehalten.
Ah, ich sehe das Missverständnis: Ich dachte, "Auto Refresh" bedeutet, dass der Chip die Zeitpunkte für den Refresh selbst wählt. Ist aber gar nicht so. Dann ist mir das klar. Danke! Grüße, Sven
Das Auto bezieht sich in dem Fall auf das eigene Weiterzählen der Refresh(Row)-Addresse. "Früher" musste der Speichercontroller das machen, also RAS+explizite Row-Adresse und dann die Zeile ohne CAS gleich wieder schliessen. Ein "Auto" im Sinne von "das RAM macht alles selbst" heisst Self-Refresh (o.ä.) und das ist ein besonderer Betriebszustand, den man auch erst setzen bzw. verlassen muss. In dem gehen dann keine CPU-Zugriffe mehr. Das ist dann zB. das, was im "Suspend-to-RAM" benutzt wird.
Danke für die Erläuterung, war interessant.
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