Wie lese ich die Daten von einem Transistor ab?

Schau doch mal hier
http://www.imn.htwk-leipzig.de/~lueders/informatik/lehrinhalte/b17_bipolartransistoren.pdf
da ist der Transitor als Schaubild und den dazugehörenden Parametern 
recht gut beschrieben.

gae5hw45 schrieb:

> Das ist die maximal erlaubte Spannung zwischen Gate und Emitter.

Du meinst bei IGBTs?
Gruss
Harald

Hallo,

> Ach ja was heist dann RDS (on) 0,0057 Ohm hää?

Das ist der Widerstand zwischen Drain und Source.

R = Widerstand
D = Drain
S = Source

Also der Widerstand im Durchgeschalteten Zustand.
Bei 10A fallen da 10A² x 0,0057 Ohm = 0,57 W Verlustleistung an.

Gruss Klaus.

Hallo Suiram,
Du solltest vielleicht uns besser sagen was Du schalten willst und 
womit. Ein kleiner Schaltplan ist da sehr hilfreich. Der MOSFET ist 
sicher geeignet aber es könnten noch andere Gesichtspunkte zu 
berücksichtigen sein.
Gruss Klaus.

Soll der Motor nur Ein- und Ausgeschaltet werden oder soll die Drehzahl 
von 0-max. geregelt werden?

Das wäre eine Möglichkeit. Die Spannung ist nicht ganz von 0 - 12 V 
regelbar, da sich der RDSon des MOSFETs bei 4 A bemerkbar macht. Die 
max. Spannung wäre dann 11,45 V, aber dein Akku hat aufgeladen 13 - 14 
V. Das ist vom Typ abhängig. Welcher ist es denn? 12 V klingt nach Blei 
oder NiMH.
Welchen Widerstand hat dein Poti? Am besten wäre 500 Ohm, wie im Bild, 
aber es gehen auch Größere. Ansonsten kann man das noch anpassen.

Für den MOSFET sollte es ein Typ sein, der viel Strom aushält und einen 
geringen RDSon hat. Für T1 reicht jeder normale Kleinsignaltransistor 
mit einer Stromverstärkung von 200 bis 300.
Die Diode ist sehr wichtig, ohne sie würdest du dir den MOSFET 
zerstören. Sie muss mindestens 5 A aushalten.
Für alle Widerstände reichen 1/4 W Typen aus der E-24 Reihe.

edit: Die Regelung ist nicht präzise.

Ayk N. schrieb:
> Das wäre eine Möglichkeit. Die Spannung ist nicht ganz von 0 - 12 V
> regelbar, da sich der RDSon des MOSFETs bei 4 A bemerkbar macht. Die
> max. Spannung wäre dann 11,45 V, aber dein Akku hat aufgeladen 13 - 14
> V. Das ist vom Typ abhängig. Welcher ist es denn? 12 V klingt nach Blei
> oder NiMH.
> Welchen Widerstand hat dein Poti? Am besten wäre 500 Ohm, wie im Bild,
> aber es gehen auch Größere. Ansonsten kann man das noch anpassen.
>
> Für den MOSFET sollte es ein Typ sein, der viel Strom aushält und einen
> geringen RDSon hat. Für T1 reicht jeder normale Kleinsignaltransistor
> mit einer Stromverstärkung von 200 bis 300.
> Die Diode ist sehr wichtig, ohne sie würdest du dir den MOSFET
> zerstören. Sie muss mindestens 5 A aushalten.
> Für alle Widerstände reichen 1/4 W Typen aus der E-24 Reihe.


Wieso ist eigentlich fast immer ein Treiber Transistor vor einem Fet?

Suiram schrieb:
> Und gibt es eine kurze Erklärung weil ich verstehe nicht warum
> man die 5 Ampere Diode benötigt.? Also ich weis schon dass one der diode
> der Mosfet sterben würde aber warum?

Der Motor ist eine Induktive Last und hat eine Selbstinduktion. Diese 
sorgt dafür, dass der Stromfluss erhalten bleibt. Ohne diese 
Freilaufdiode würde das zu einer hohen Spannungsspitze führen, die der 
MOSFET nicht aushält.

http://de.wikipedia.org/wiki/Schutzdiode#Freilaufdiode

Frank O. schrieb:
> Wieso ist eigentlich fast immer ein Treiber Transistor vor einem Fet?

MOSFETs werden über kurze, kleine Stromstöße gesteuert, da sie eine 
Gate-Kapazität haben. Durch diese Bleibt die Gatespannung erhalten und 
der MOSFET leitet.
Der Bipolare Transistor kann das Gate besser laden.
R2 entlädt diese Kapazität wieder, wenn T1 sperrt.

Ayk N. schrieb:
> Frank O. schrieb:
>> Wieso ist eigentlich fast immer ein Treiber Transistor vor einem Fet?
>
> MOSFETs werden über kurze, kleine Stromstöße gesteuert, da sie eine
> Gate-Kapazität haben. Durch diese Bleibt die Gatespannung erhalten und
> der MOSFET leitet.
> Der Bipolare Transistor kann das Gate besser laden.
> R2 entlädt diese Kapazität wieder, wenn T1 sperrt.

Danke!:-)

Ayk N. schrieb:
> Der Bipolare Transistor kann das Gate besser laden.

Aber wenn Du ein Poti hast, dass mit der Hand verändert wird, brauchst 
Du keine schnelle Änderung der Gate-Spannung. Also kann man das Poti 
auch direkt an das Gate anschließen.

@Suiram:
Neben dem Strom ist bei dem MOSFET die Verlustleistung wichtig. Da Du im 
Analogbereich arbeiten willst, muss der FET einiges verheizen. RDSon ist 
hier nicht relevant. Also: "dicker" FET + Kühlkörper.

Gruß Dietrich

Natürlich gibt es sowas:
http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode

Naja, eigentlich wäre ein Bipolarer die beste Wahl für eine lineare 
Regelung, aber an ihnen fällt eine relativ hohe Spannung ab, 3-4 V was 
bei 4 A eine Verlustleistung von 12-16 W macht. D.h., dass du einen 
großen Kühlkörper brauchst, ideal wäre einer mit 7,5 K/W oder weniger. 
Solche kosten dann auch wieder einige Euros und anfassen kannst du den 
dann nicht. Bei einem MOSFET liegt die Verlustleistung bei 1-2 W, aber 
die sind schlecht regelbar, genauso wie bei IGBTs. Die wurden dafür 
ausgelegt ein- und ausgeschaltet zu werden.
In richtigen, teuren Leistungsmotorreglern steckt eine Steuerung mit 
PWM.
Zum nachlesen: http://de.wikipedia.org/wiki/Pulsweitenmodulation

Du kannst nach dem Lesen entscheiden, was du machen möchtest.

Eine Möglichkeit wäre noch. Du kaufst dir für deinen Motor eine passende 
Regelung.

Üben kann man immernoch mit kleineren Strömen und Motoren.

Suiram schrieb:
> ist ist dann ein IGBT besser

Nein. Der hat eine höhere Sättigungsspannung, und damit mehr 
Verlustleistung. Bei Dir ist wie schon gesagt wahrscheinlich ein MOSFET 
am besten geeignet.

Siehe auch:
http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode#Aufbau_und_Funktionsweise

Gruß Dietrich

Erwin schrieb:
> normale Transistor

Da musst Du erst einmal definieren, was für Dich "normal" ist!

Um es mal ganz grob einzuteilen:
- welche Spannung?
- welcher Strom?
- wie schnell?
- als Schalter oder analog?

Gruß Dietrich

Es gibt Bipolare Transistorn (bezeichenen viele als "normale" 
Transistoren), Feldeffekttransistoren (FET), 
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), 
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT).

Ewin schrieb:
> unter welcher abteilung bei reichelt muss ich jetzt num suchen ?

In Frage kämen alle Rubriken unterhalb "Transistoren" außer "Germanium" 
und "IGBTs".

Die Bereiche unterscheiden im Wesentlichen nach Typenbezeichungen, nicht 
nach Funktion (außer "MOSFET-Transistoren", hier sind wohl nur MOSFETs - 
aber nicht alle MOSFETs sind hier).

Hast Du schon mal hier geschaut?
http://www.mikrocontroller.net/articles/Standardbauelemente#Transistoren

Gruß Dietrich

Schau mal bei BC-Transistoren.