Bei Bipolar-Transistoren würde ich im ersten Schritt mal schauen, dass
die Basisströme in Summe nich >20mA sind.
Bei FETs gilt das selbe wie sonst auch. Im statischen Zustand fließt ja
kein (kaum) Strom in's Gate, somit unkristisch.
Interessant ist der Schaltfall, da dann ja das Gate umgeladen werden
muss. (Das Gate kann als Kondensator betrachtet werden).
Je nach gewünschter Umladezeit musst du den Gatestrom per Vorwiderstand
begrenzen.
Alle zusammen sollten eben auch noch im (für den µC erträglichen) Rahmen
liegen.
Schließt du mehrere an wird der maximal mögliche Gatestrom pro FET
kleiner und die Umladezeit somit kleiner.
Hier könntest du auch einen Treiber vorschalten, dann kannst du
eigentlich beliebig viele ranhängen.