Brushless Controller Mosfet Endstufe

Danke Udo für die Antwort.

Ja er bräuchte eine Zeit von ca 1,2µs mit einer Ladung von 14C. Also 
könnte ich den P-Mos mit einer maximalen Frequenz von 428kHz schalten, 
wo er noch ganz ein und ausschaltet. Wenn ich ihn dann mit einer 
Frequenz von 10kHz schalte müsste das doch locker reichen. Oder?

Ja er wechselt vom hochohmig in den niederohmigen Zustand. Wenn er dies 
schnell genug macht ist nur eine sehr geringe Zeit eine hohe 
Verlustleistung am Mosfet und dieser wird nicht heiß.

"rfm" des N-Kanal-Mosfet.

Wäre doch mal eine Aufgabe für einen E-Technik Studenten das Ganze 
ordentlich mit Übertragern und nur N-Kanal-Mosfet zu implementieren. 
Dann wird vielleicht auch klarer, warum dem N-Kanal-Mosfet warm wird, 
wenn die Angabe im ersten Post stimmt. ;-)

Harry Up schrieb:
> Die 100K als
> 'Entladungshilfe' scheinen schon ein wenig fragwürdig, wenn die linke
> Seite des R31 nicht auf GND liegen sollte. Wenn doch, was soll denn die
> Funktion des R30 sein?

Wieso? Ist R30 zu groß? R30 sollte dafür da sein, wenn man die ganze 
Schaltung einschaltet und das Steuersignal links von R31 floating ist, 
dass der N-Kanal nicht schaltet und es zu einem Kurzschluss kommen 
könnte.

Thomas Klima schrieb:
> nein, zu wenig Infos. Aber eine extra deadtime zwischen dem ausschalten
> des Einen und einschalten des Anderen wird helfen.

Es ist eine kurze Deadtime enthalten. Aber warscheinlich schaltet der 
Highside zu langsam auf Masse und der Lowside öffnet bereits.

Udo Schmitt schrieb:
> Schon mal die Idee gehabt direkt an die Gates ein Oszilloskop (mit
> einem 10:1 Tastkopf!) anzuschliessen und mal die Spannung anzuschauen?

Also die Spannung an den Gates sind perfekte Rechtecke.

Udo Schmitt schrieb:
> - schon mal die Idee gehabt mit einem kleinen Widerstand ond einem Oszi
> den Strom durch die Halbbrücke (unbelastet) zu messen?

Die eigentliche Spannung die ich Anlegen will ist 12V aber mit dem 
Netzgerät bin ich bis jetzt nur auf 3V da später zu viel Strom 
fließt(200mA) und dann wird der Mosfet heiß.

Ich habe die Schaltung mal ohne Lowside Mosfet aufgebaut und stattdessen 
einen 1M Ohm gegen Masse. Bei niederen Frequenzen(100-200Hz) schaltet 
der Highside Fet perfekt aber je größer die Frequenz, desto flacher 
sinkt die Spannung von 12V auf 0V ab.

Udo Schmitt schrieb:
> Du bist Student

Nein eben nicht ;)

> Hat einer eine Ahnung warum das so nich funktioniert?

Du bist so weit entfernt von einer funktionierenden Lösung,
daß du dir den besser fertig kaufst und es mal mit blinkenden
LEDs probierst.

MaWin schrieb:
> Du bist so weit entfernt von einer funktionierenden Lösung,
> daß du dir den besser fertig kaufst und es mal mit blinkenden
> LEDs probierst.

Warum funktioniert das bei Mikrokopter so gut und bei mir nur mit sehr 
niedrigen Frequenzen?

Hallo Martin,

das könnte wirklich ein Brückenkurzschluß, oder - wahrscheinlicher - 
eine zu geringe Flankensteilheit des Gatesignales sein.
Schon mal hier
http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
reingesehen?

Oder auch...wenn kein Zwischenkreiskondensator drin ist, kann das je 
nach Aufbau auch zu hohen Induktionsspannungen und zum (hoffentlich) 
reversiblen Durchbruch 1. Art kommen.
Magst Du einfach mal den ganzen Stromlaufplan einstellen?

Wie hoch ist denn die Spannung, mit der der Bip und der LS-FET 
angesteuert werden??

Danke Volker werde mir die Seite mal anschauen.

Die Ansteuerung des Trasistors und des Lowside Fets erfolgt mit 
TTL-Pegeln die vom µC kommen. Ich habe mal die relevanten Teile der 
Spannungsversorgung zusammenkopiert.

Das liegt an vielen.

- Wenn die Eingangsspannung auf 3 Volt begrenzt wird, wie soll der 
P-Kanal-Mosfet durchschalten. Man könnte mit Strombegrenzung des 
Netzteils testen oder die Ansteuerspannung von der "Leistungsspannung" 
trennen.
- TTL-Pegel über einen Prozessorausgang auf einen N-Kanal-Mosfet. Würde 
ich mal das Oszi ran halten und schauen was passiert. Die mögen auch 
gern ein paar mehr Volt zum Durchsteuern.

Hallo Martin,

wenn ich mir das Datenblatt Deines P-Kanal FETs so ansehe und Deinen 
Schaltungsvorschlag dazu, dann solltest Du ein paar Optimierungsschritte 
einplanen.
Dein FET hat bei 4,5V 24mOhm, und bei 10V 10mOhm. Dies gibt Dir die 
Möglichkeit Deine Verluste zu reduzieren. Du brauchst nur zwei 
Kleinsignaltransistoren und ein paar Widerstände mehr und damit wird 
Dein Fet - sowohl der P-Kanal, als auch der N-Kanal - mit 12V 
angesteuert. Auch wenns ein wenig Arbeit ist, es rentiert sich.
Wenn die Spannungen an den Gates perfekte Rechtecke sind, dann schau 
doch mal, ob sie sich überlappen. Das Ausschalten kannst Du 
beschleunigen, wenn Du parallel zu Deinem Gatewiderstand noch eine 
Serienschaltung aus Diode und Widerstand packst. Die Diode sorgt dann 
dafür, daß beim Ausschalten mehr Stromfließt, beim Einschalten nicht. 
Damit kannst Du das relativ genau justieren.

Wenn Du das gemacht hast, dann fehlen nur noch die richtig 
dimensionierten Zwischenkreiskondensatoren zu Deinem Glück. ;-) such mal 
beim reichelt nach "low ESR" Elkos. z.B. RAD FR 820/50 :: Elko radial, 
105°C, low ESR, RM 7,5mm.


Die richtige Paarung von FET und Widerstand hat natürlich einen 
deutlichen Einfluß auf die Schaltzeiten. Es wäre durchaus möglich, daß 
es Aufgrund Deiner Änderungen zu einem Halbbrückenkurzschluß kommt.
Gruß
Volker

Volker schrieb:
> Du brauchst nur zwei
> Kleinsignaltransistoren und ein paar Widerstände mehr und damit wird
> Dein Fet - sowohl der P-Kanal, als auch der N-Kanal - mit 12V
> angesteuert.

Wieso brauch ich zwei Transitoren? ist nicht genug einen, also genau 
gleich wie beim P-Kanal?

Habs mal in Eagle gezeichnet denkst du so soll ichs machen?

Wegen den Elkos werde ich noch schauen. Die Kapazität um die 100 -470µF?

Martin schrieb:
>> Der Professor sagte, dass es an diesem 1k Ohm(statt 680
>> Ohm liege,

>Was jetzt?

Ich bin nicht aus Deutschland ich bin aus Südtirol(Italien). Gehe in die 
13. Klasse aber bei uns werden die Lehrer mit Professor angesprochen.

Volker soll ich das nicht so machen?