Mosfet Flanken

Die Input capacitance ist die Eingangskapazität. Sie bestimmt bei einem 
bestimmten Ansteuerstrom, wie schnell die Gatespannung ansteigt und 
somit auch die Einschaltflanke (dU= dT*I/Cgs). ABER es gibt auch die 
Cdg-Kapazität die dem Ein-& Ausschalten auch entgegenwirkt.
D.h. je mehr Strom du in das Gate schickst (oder herausholst), desto 
schneller schaltet der MOSFET (<<µs). Wenn du nur ein paar mA zur 
Verfügung hast, wird es langsam.

Danke für deine Antwort. Wie kontroliere ich denn die Abschaltezeit 
denn?
Und was ist der Total Gate?

>Und was ist der Total Gate?

Du meinst sicher total gate charge (in nano Coulomb).
Das ist die Ladungsmenge, die in das Gate fließen muss um vom 
ausgeschalteten Zustand in den eingeschalteten Zustand zu kommen - da 
sind beide Kapazitäten enthalten.

>Wie kontroliere ich denn die Abschaltezeit?
Wie schon gesagt(!) entweder über den Gate-Strom oder meist mit einem 
Gate-Vorwiderstand - der wiederum den Strom begrenzt.

Servus nochmal.

Ich habe 3 Mosfet mit unterschiedlichen Daten.
Ich möchte wissen davon welche schneller ein-/ausschalten kann bei der 
Gleiche Bestükung.

                  MOS1  MOS2          MOS3
Total Gate Charge Q(nC)  75  80 bis 120          79
Input Capacitance C(pF)  5100  4700 bis7050  4650-6200

Abhängig von Wiederstände wie kann ich die einschalte und 
ausschaltzeiten anpassen?

Die Unterschiede sind so gering, dass ich sie vernachlässigen würde. Da 
würde ich eher auf die anderen Eigenschaften achten (Gehäuseform, 
Temperatur, Maximaler Strom, RDSon, Spannung, etc).

Stefan schrieb:
> Die Unterschiede sind so gering, dass ich sie vernachlässigen würde. Da
> würde ich eher auf die anderen Eigenschaften achten (Gehäuseform,
> Temperatur, Maximaler Strom, RDSon, Spannung, etc).

Welche Einfluß hätte den der Rdson. Was erwarte ich wenn Rdson größer 
oder kleiner sind als anderen?