NAND-Flash: P/E cycles und Data Retention

Hallo,

ich beschäftige mich z.Z. etwas mit NAND-Flash und habe eine 
Verständnisfrage. Im Datenblatt finde ich eine Angabe von 100k 
Programm/Erase Cycles.

>>> Bedeutet dies, dass jeder Block eines NAND-Flashs 100k mal gelöscht und 
pogrammiert werden darf oder das bezieht sich die Angabe auf das gesamte Device - 
sprich 100K geteilt durch die Anzahl der Blöcke, damit ich weiß, wie oft eine 
Block gelöscht und programmiert werden kann ?

Die JEDEC Spezifikation beschreibt einen Zusammenhang zwischen der Data 
Retention und der Anzahl von P/E cycles. Dort gibt es eine 10% und eine 
100% Angabe:

10 years for 10% cycled blocks
1 year for 100% cycled blocks

>>> Was genau sagt mir dies dies und bezieht sich dies wieder auf die P/E cycles 
eines Blocks oder auf die P/E cycles des gesamten Devices ?

Danke für die Hilfe