Verbraucher an Source des MOSFET kriegt nur sehr kleinen Strom

Harri E. #3117015
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Hallo,

ich wollte mir eine H-Brücke bauen mit 4 IRFZ48N.
Leider ist mein Motor nicht mal angelaufen.
Daraufhin habe ich ein wenig mit meinem MOSFET experimentiert und 
festgestellt, dass die "Position" des Verbrauchers am MOSFET einen 
gewaltigen Unterschied macht. Ich verstehe aber leider nicht wieso.

Ich habe eine Skizze von meinem Versuchsaufbau angehängt.
Als Spannungsversorgung verwende ich ein Labornetzteil, begrenzt auf 5A, 
eingestellt auf 8V. Als Verbraucher verwende ich einen 220Ohm 
Widerstand.
- Wenn ich den Widerstand an der Stelle "Pos-Vor" platziere, messe ich 
35mA und 7,9V. Wie erwartet.
- Wenn ich den Widerstand an der Stelle "Pos-Nach" platziere messe ich 
1V und 5mA. Das scheint mehr sehr wenig zu sein.


Mein Problem ist jetzt aber, dass ich bei einer H-Brücke ja immer einen 
Verbraucher "Nach" dem MOSFET platzieren muss.

Kann mir jemand erklären wo mein Denkfehler ist?


Vielen Dank schonmal

Harri E
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MaWin Gast #3117103
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> Ich verstehe aber leider nicht wieso.

Och Kinders, lest ihr eigentlich keine Bücher mehr ?

Ob der MOSFET leitet oder sperrt hängt nicht von der Spannung am Gate 
ab, sondern von der Spannung am Gate IN BEZUG ZUM SOURCE.

Und die ist, wenn dein Motor unten ist, eben nicht 0V.
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Harri E. #3120551
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MaWin schrieb:
>> Ich verstehe aber leider nicht wieso.
>
> Och Kinders, lest ihr eigentlich keine Bücher mehr ?
>
> Ob der MOSFET leitet oder sperrt hängt nicht von der Spannung am Gate
> ab, sondern von der Spannung am Gate IN BEZUG ZUM SOURCE.
>
> Und die ist, wenn dein Motor unten ist, eben nicht 0V.


OK, hab ich prinzipiell verstanden. Es kommt darauf an, welche Spannung 
zwischen Gate und Source liegt.
Heisst das jetzt, dass in meiner Skizze eine Spannung an dem Widerstand 
anliegt? Warum? Weil der MOSFET erstmal schaltet, damit leitet und 
dadurch eine Spannung zwischen Drain und Source anliegt?

Kann man dann also mit 4 NFETs gar kein H-Brücke bauen?
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MaWin Gast #3120821
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> Kann man dann also mit 4 NFETs gar kein H-Brücke bauen?

Kann man, wird auch oft wegen der besseren Eigenschaften der NFETs 
gemacht obwohl der Aufwand höher ist denn dazu muss man an das Gate der 
oberen MOSFETs 10V mehr anschliessen als die Versorgungsspannung 
beträgt.
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F. F. #3120842
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MaWin schrieb:
> Och Kinders, lest ihr eigentlich keine Bücher mehr ?

Nee! Wir haben doch dich!;-)
Spaß beiseite. Manchmal schießt man schnell eine Frage raus, weil die 
gerade auf der Zunge oder besser, auf der Tastatur lag und stellt 
natürlich erst nach den einprasselnden Links fest, dass man die hätte 
auch selbst finden können.

Aber das mit den 10 Volt mehr, das ist interessant. Mit den H-Brücken 
hab ich mich noch nicht so sehr beschäftigt (kommt noch), da ist so was 
immer wertvoll.
Danke für diese einfachen Erklärungen.
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F. F. #3121977
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Udo Schmitt schrieb:
> Es hat schon einen Grund warum das Ugs (gate source) und nicht Ugg (gate
> ground) heisst.
> MaWin hat schon recht. Heute bastelt viele einfach los ohne auch mal nur
> die Grundlagen verstehen zu wollen.

Ihr habt sicher beide recht und ich handle auch zumeist so, aber ich 
verstehe auch die andere Seite sehr gut. Es ist sehr zeitintensiv und 
manchmal braucht man mehr als nur ein Buch zum Thema, um es zu verstehen 
oder das Buch wirft völlig neue Fragen auf und man muss noch einen 
Schritt weiter zurück gehen.
So entfernt man sich immer mehr von dem eigentlichen Ziel. Da Zeit ein 
sehr knappes Gut in unserer arbeitenden Erwachsenenwelt geworden ist, 
kann ich den Wunsch die Abkürzung übers Forum sehr gut verstehen.
Manchmal denkt man aber einfach, "Ach ja, klar!", um dann erst 
festzustellen, dass man doch noch Lücken füllen muss.
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