LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen

#3117851
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Hi,

ich will in meiner Anwendung einen IRFP4468PbF (datenblatt im Anhang) 
verwenden. Dabei fließen Ströme bis zu 180A.
Es würde mir meine Konstruktion sehr vereinfachen, wenn ich meine 
Versorgungsspannung (60V) direkt an die Kühlanschlüsse des Fets (Drain) 
anschließen würde.Die Zuleitung ist ein Kupferblech das gleichzeitig 
wärme abführen könnte.  Allerdings weiß ich nicht, ob das so vorgesehen 
ist und vllt der RDSon hoch geht.
Kann mir jemand von euch einen Rat dazu geben? Im Forum gabs das Thema 
zwar schon, allerdings nocht nicht für die Anwendung mit hohen Strömen. 
Beim Hersteller (IR) bin ich bis zu diesem Zeitpunkt noch nicht fündig 
geworden.

Danke fürs Lesen!
Angehängte Dateien:
(Firma: EleLa - www.elela.de) #3117912
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2mOhm und 180A = 65Watt !!!
Ein bischen Kupferblech für Kühlung wird da wohl nicht reichen.

Nehme besser einen Mosfet oder IBGT mit Schraubklemmen (z.B. Gehäuse 
SOT227) und einen ordentlichen Kühlkörper, evt. mit Lüfter.

Alleine schon der dünne Draht vom Source wird bei dem Strom ordentlich 
warm.
#3117968
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Die Schaltflanken produzieren zusätzlich zum hohen Stromfluss durch die 
Bonddrähte und den Chip, Verlustleistungsspitzen, die Probleme machen 
werden. Du hast bei dieser Konstellation beim Umschalten und 
Überstreichen der Verlustleistungsfläche übergangsweise mehrere KW für 
einige ns zu bewältigen. Das addiert sich mit zunehmender Schaltfrequenz 
und verschlechtert durch thermische Effekte die Schaltzeiten noch 
mehr... Ich tippe auf ein schnelles 'Plopp'...!
#3120542
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Zur allgemeinen Info noch kurz ein update:
IR hat mir auf meine Frage eine (wie üblich) kurze Antwort gegeben:

"Please be noted we don't recommend to do this. Please use the pins for 
electric connection."

Mich würde zwar brennend interessieren warum das so ist, aber das soll 
ich wohl nicht wissen.
Gast #3120598
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Es gibt genügend Ausnahmen bei Leistungshalbleitern, wo das eben nicht 
zulässig ist. Mir erschließt sich allerdings nicht, was Dich am 
Einfachsten hindert: den Tab mit dem Anschluss nochmals leitend zu 
verbinden...
Gast #3120620
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Bei IR´s Aussage geht es wohl eher darum, daß manch einer die 
Verschraubung für 180A nicht hinbekommt. Wenn der Übergangswiderstand zu 
hoch ist, wird der Transistor dann zusätzlich von außen beheizt....

Der Drain-Pin ist intern direkt mit der Kühlfahne verbunden, wächst 
praktisch aus dieser heraus (ohne Bondverbindung). Also der Anschluss am 
Tab wäre nach wie vor das Optimum.

Wenn es schon der eine Mosfet sein muss, dann meine Empfehlung: Lötpaste 
SnBi58 drunter, und auf eine Kupferschiene löten (bei 140°C und z.B. im 
Backofen).

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