MOSFET-Schalter - Bad Idea, warum?

Gast #3137714
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Weitere Frage: Gesetz dem Fall es wäre ein MOSFET. Ist es egal ob ich 
die Last oberhalb oder unterhalb des MOSFET positioniere? Also würde es 
mit der Last zwischen VCC und DRAIN genau so funktionieren wie zwischen 
SOURCE und GND?

Christian
Gast #3137728
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> Lerne die Grundlagen der Transistoren.

Versuch ich gerade.

So wie in einen BPT ein Strom in die Basis und über den Kollektor nach 
Masse fließen muss um die Kollektor-Emitter-Strecke zu schalten, so muß 
am FET eine Spannung am Gate anliegen um das Feld aufzubauen.

Nehmen wir an, ich klemme die Last zwischen den Source des MOSFET und 
GND. Dann lege ich eine Spannung am Gate an. Der Source des MOSFET liegt 
aber auf einem "undefinierten" Potential, eine klare Vgs ist nicht 
vorhanden. Die Schaltung funktioniert in diesem Falle also nicht.

Christian
Gast #3137740
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"Nehmen wir an, ich klemme die Last zwischen den Source des MOSFET und
GND. Dann lege ich eine Spannung am Gate an. Der Source des MOSFET liegt
aber auf einem "undefinierten" Potential, eine klare Vgs ist nicht
vorhanden. Die Schaltung funktioniert in diesem Falle also nicht."

Würde ich so nicht unterschreiben.

Fertige eine Zeichnung an. Trage alle Spannungen ein und schaue dir an 
was passiert, wenn du die Gatespannung von 0 auf 10 V erhöhst.
#3137800
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>Also würde es mit der Last zwischen VCC und DRAIN genau so funktionieren
>wie zwischen SOURCE und GND?

Ja, wenn deine Gatespannung dann zusätzlich um den Spannungsabfall über 
der Last vergrößert würde. Macht man manchmal sogar absichtlich so, wenn 
man möchte, daß nur eine sehr große Steuerspannung die Last schalten 
kann, was in Systemen mit starken Massestörungen sinnvoll sein kann.

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