MOSFET Rückwirkungskapazität

> Dürfte
> die Datenblatt-Kennlinie in Abhängigkeit von UDS gleich bleiben?

Was soll den das bedeuten?

Zwischen 300V und 600V sind die Kapazitäten praktisch unverändert.

Rds_on ist abhängig von der Gate-Source-Spannung und der 
Sperrschichttemperatur.

Zu Crss:

Schau mal ins Datenblatt vom SPB02N60C3.

Auf Seite 10 ist das Diagramm der Kapazitäten gegnüber der 
Drain-Source-Spannung.
Bei Crss tut sich ab 100V Uds nichts mehr.

Sorry, ich glaube, ich habe meine Frage wohl zu unsauber formuliert. 
Aber danke für die schnellen Antworten! Nochmal zurück zu meiner Frage:

Ich habe ein CoolMOS mit 600V Sperrspannung und entsprechendes 
Datenblatt von Infineon. Den möchte ich in einem 2-Level-Wechselrichter 
verwenden und die auftretenden Verluste berechnen. Das ist mit Hilfe des 
Datenblattes auch nicht das Problem.
Dem möchte ich aber die Verluste eines 3-Level-Wechselrichter 
gegenüberstellen, wofür CoolMOS reichen, die für die halbe Sperrspannung 
ausgelegt sind. Leider gibt es die zumindest von Infineon nicht. Aber 
mich würde es theoretisch trotzdem interessieren. Dafür müsste ich 
allerdings die Werte meines 600V-CoolMOS herunterskalieren. Für den 
Durchlasswiderstand habe ich in der Literatur auch eine Formel gefunden:

rdson,skaliert=rdson*(Usperr,skaliert/Usperr)^(1,3)

Damit kann ich die Durchlassverluste berechnen, allerdings benötig ich 
für die Berechnung der Schaltverluste noch die herunterskalierten Werte 
der Rückwirkungskapazität. Vielleicht habt ihr ja eine grobe Idee, 
ob/wie sich die verändern dürfte. Ich hoffe, meine Fragestellung ist 
jetzt etwas verständlicher geworden :). Wenn nicht, sagt gerne Bescheid

Wenn Du keine 300V CoolMOS Typen bekommst, ist der Vergleich doch 
vollkommen sinnlos, es gibt ja kein Bauteil, dass Du verwenden könntest.

Dann geh' doch einfach zu einem anderen Hersteller, z.B. ST, die haben 
ihre SuperMESH Transistoren für 600V und 300V Uds.

Dann kannst Du auch einen sinnvollen Vergleich machen.

Bitte korrigier mich, wenn ich etwas übersehen habe, aber die 
Leistungs-MOSFETs bei ST gehen auch erst bei 500V los oder? Das Problem 
ist, dass ich durch die MOSFETs auch noch bis zu 125A effektiv 
durchjage. Dafür werde ich zwar eh welche parallel schalten müssen, aber 
ein bisschen sollten die dann ja schon aushalten...
Das alles darf ich halt in meiner Bachelor-Arbeit gegenüberstellen. 
Einmal mit MOSFETs und einmal mit IGBT-Modulen. Obwohl es im 
300V-Bereich einfach nichts brauchbares gibt für hohe Leistungen. Und 
wie man diese 600V-Bauteile (nach wissenschaftlichen Maßstäben) 
herunterskalieren soll, ist mir ein absolutes Rätsel, bzw. mir fehlt die 
passende Literatur. Bin da echt ratlos mittlerweile, wie ich da weiter 
vorgehen soll. Wenn ihr IGBT-Module oder Leistungs-MOSFETs kennt, die 
für ca. 300V Sperrspannung ausgelegt sind, würde mir das natürlich auch 
sehr weiterhelfen, dann könnte ich mir das Skalieren sparen. Aber auch 
da bin ich bisher nicht fündig geworden.

150V bis 400V:

http://www.st.com/st-web-ui/active/en/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166

450V bis 650V:

http://www.st.com/st-web-ui/active/en/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167

Sorry, irgendwie habe ich an der falschen Stelle gesucht. Besten Dank, 
das sieht auf den ersten Blick sehr vielversprechend aus :). Weißt du 
zufällig, ob es auch einen Hersteller gibt, der IGBT-Module herstellt 
für 300 bis 350V Sperrspannung? Da habe ich bisher nur eins gefunden, 
das für Plasma-Displays konzipiert ist:

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg6b330udpbf.pdf

Frage mich, ob ich den einfach vergleichen kann mit einem IGBT-Modul von 
Infineon, das für den automotiven Bereich gedacht ist:

http://www.infineon.com/dgdl/DS_FS200R07A1E3_3_0.PDF?folderId=db3a304412b407950112b4095af601e2&fileId=db3a304325afd6e001261d03d4e36001

Oder ob der Vergleich doch etwas zu sehr hinkt. Es geht bei meiner 
Betrachtung übrigens um ein Elektrofahrzeug, mit 10-20kHz wollte ich 
meinen Wechselrichter takten.