Gast
#3164230
Ich hab MOSFETs in Reihenschaltung für eine rein kapazitiv belastete Halbbrücke im Einsatz, um die Gesamtkapazität zu verringern. Maximal schalte ich damit ca. 1.5x Vds mit je zwei FETs oben und unten. Ich wollte jetzt mal kurz in die Runde fragen, ob das Probleme gibt, wenn die Spannung schlecht auf die einzelnen in Reihe geschalteten FETs verteilt ist und einer wegen Überschreitung der Vds in den Avalanche geht. Laut Datenblatt ist der erlaubte kontinuierliche Avalanche Strom bei meinen Schaltfrequenzen nicht (<1%) überschritten und bei jedem Umladen der Brücke sollten maximal (C*Vgs^2)/2 mit C <= Ciss eines einzelnen FETs an Peak Avalanche Energie anfallen oder? Sind MOSFETs, die Avalanche tauglich sind, dafür ausgelegt in Reihenschaltung ihre Spannungen durch Avalanching selbst aufzuteilen? (Es scheint zu funktionieren, habs schon am laufen, aber ich wollte mal fragen, ob das auch gängige Praxis ist). Danke, Lukas