Ich brauch mal wieder eure Hilfe.
Es ist mehr oder weniger eine theoretische Frage. Für einen
Halbleiterschaltkreis benötige ich eine potentialfreie Spannung, welche
aus der Versorgungsspannung generiert werden muss.
Wie kann man aus einer Gleichspannung eine Potentialfreie Gleichspannung
machen?
Da das ganze nur mit Transistoren (Mosfets, Bipolar) und ein wenig
passiver Bauelemente (R und C, kein L) geschehen muss komme ich einfach
nicht weiter. Hat irgendjemand eventuell einen Anhaltspunkt für mich,
wie ich sowas realisieren könnte?
Bei mir scheitert's allein schon an der Vorstellung, dass dies
funktionieren könnte...
4to Takoe schrieb:> Es ist mehr oder weniger eine theoretische Frage. Für einen> Halbleiterschaltkreis benötige ich eine potentialfreie Spannung, welche> aus der Versorgungsspannung generiert werden muss.
Theoretisch scheint mir allenfalls die Höhe deiner Spannung und die
erforderliche Leistung. Willst du selber bauen oder suchst du etwas
fertiges in der Art
www.reichelt.de/SIM1/search
4to Takoe schrieb:> Selber bauen. Und DC-DC-Wandler sind ja nicht Potentialfrei...
Du must das ja wissen.
Wenn im Datenblatt zu den Wandler steht "INPUT/OUTPUT ISOLATION: 1000 &
3000VDC" würde ich das für potentialfrei halten oder welche konkreten
Anforderungen hast du.
Wie welche Spannung brauchst du?
Wie viel Strom brauchst du?
Ausgang geregelt oder nicht geregelt?
Je nach dem gibt's die verschiedensten Ansätze.
> Da das ganze nur mit Transistoren (Mosfets, Bipolar) und ein wenig> passiver Bauelemente (R und C, kein L) geschehen muss....
Ohne L wird's wohl nicht gehen. Warum kein L?
Kann man den Trafo nicht durch Kondensatoren ersetzen? In meiner
Simulation funktioniert die Sache. Ob das auch in der Realität
funktioniert, darf der TO abklären.
PS: Hört sich irgendwie nach einer Hausaufgabe an.
@4to Takoe
Das ist prinzipiell nicht möglich.
Zerschneidest Du aber deine Gleichspannung in kleine Stückchen, die Du
durch einen Trafo (Trennung) schickst, so ist vieles möglich.
Fertig findest dieses unter dem Stichwort DC/DC-Wandler, Schaltnetzteil,
Step-Up oder Step-Down.
Aber Vorsicht: Was da hinten rauskommt ist manchmal ziemlich rauh.
Kein L, weil es in Silizium gefertigt wird (Chipdesign). Ich stehe
gerade vor einem größerem Problem und erhoffte mir unvoreingenommene
Ideen. Wenn ich anfangen würde meinen Standpunkt zu erklären, so würdet
ihr automatisch auch in die selbe Richtung denken, daher war dies so
allgemein formuliert.
@bestucki:
du verwendest eine Wechselgröße als Eingang...und hast einen einfache B2
Gleichrichterschaltung aufgebaut.
Das hier wäre mein Ansatz. ()
Mit echten Schaltern bzw relias wäre es wirklich potential frei.
Mit Mosfets denke ich mir wird man das aber genau so hinbekommen.
Die Ausgangsspannung solltest du aber regeln da diese stark last
abhängig ist!
oszi40 schrieb:> Das wäre gefählicher Mist. Im harmlosen Fall ein Kurzschluß in der> Schaltung, im dümmsten Fall mit 230V===> Friedhofsbesuch mit festem> Wohnsitz.4to Takoe schrieb:> du verwendest eine Wechselgröße als Eingang...und hast einen einfache B2> Gleichrichterschaltung aufgebaut.
Bei meiner Simulation gehts nur ums Prinzip. Natürlich wird eine
harmlose Gleichspannung zerhackt, über die Kondensatoren gejagt und
anschliessend wieder gleichgerichtet und gefiltert.
4to Takoe schrieb:> du verwendest eine Wechselgröße als Eingang...
Das ist dann der 2 Teil der Aufgabe aus einer Gleichspannung eine
Wechselspannung zu machen, aber das wird doch nun nicht das große
Problem für die sein oder?
oszi40 schrieb:> Falls es nur theoretisch sein soll: Glühlampe + Solarzelle
Die kann man aber schlecht in Silizium integrieren.
Sonst haette ich noch Motor/Generator anzubieten.
4to Takoe schrieb:> Selber bauen. Und DC-DC-Wandler sind ja nicht Potentialfrei...
Welche nur mit Cs auf keinen Fall, welche mit Trafo schon.
Gruss
Harald
Lothar S. schrieb:> Das is' ein Auzubi.oszi40 schrieb:> Glühlampe + Solarzelle
oh man was hier wieder von sich gegeben wird.
@Axel H.
Danke für den Hinweis. Ne H-Brücke als Wechselrichter zu nehmen kam mir
auch schon in den Sinn. Allerdings brauchen die Gates der Mosfets auch
wieder Massebezug. Außerdem bläht sich dann ganz schnell meine Schaltung
auf und Chipfläche ist teuer ;)
Ich merk schon, hier gestern keine Halbleiterexperten rum, hatte vor
paar Tagen schonmal paar Fragen in Richtung Halbleiterei und Chipdesign
gestellt, aber so wie es aussieht kennen sich die Leute hier nur mit
diskreten BE aus.
Ok, trotzdem Danke.
4to Takoe schrieb:> Danke für den Hinweis. Ne H-Brücke als Wechselrichter zu nehmen kam mir> auch schon in den Sinn. Allerdings brauchen die Gates der Mosfets auch> wieder Massebezug. Außerdem bläht sich dann ganz schnell meine Schaltung> auf und Chipfläche ist teuer ;)
Es handelt sich dabei weder um eine H-Brücke noch um einen
Wechselrichter!
Aber ja...
Und ein P-Kanal MosFet bzw. H.S. Driver ist jetzt ned sonderlich platz
intensiv.
> Ich merk schon, hier gestern keine Halbleiterexperten rum, hatte vor> paar Tagen schonmal paar Fragen in Richtung Halbleiterei und Chipdesign> gestellt, aber so wie es aussieht kennen sich die Leute hier nur mit> diskreten BE aus.
das sei mal so dahin gestellt...
4to Takoe schrieb:> Außerdem bläht sich dann ganz schnell meine Schaltung> auf und Chipfläche ist teuer ;)
Was brauch an einem Astablilen Multivibrator viel Platz? 2 Transen 4
Widerstände und 2 Kondensatoren auf einer Chipfläche sind ja wohl nicht
die Welt. Dann hast du noch die 2 Koppelkondensatoren 4 Dioden und noch
ein C damit die Ausgangsspannung nicht so wackelt. Wo ist da ein
Platzproblem? zumal du die Arbeitsfrequenz schhon nach oben treiben
kannst, damit werden dann auch die Cs recht klein.
Innerhalb eines EEPROMs müssen Programmierspannungen an die
Speichermatrix geschalten werden. Dabei werden 5V Mosfets verwendet um
+12V, -12V und GND an einen Punkt zu schalten. Also müssen die Mosfets
insgesamt 24V abkönnen. Das geht nur über eine Kaskode und in der
Simulation funktioniert das auch. Probleme bereiten mir aber noch die
Gatespannungen, welche eben keinen Bezug zur Masse haben dürfen, sondern
nur max. +5V über den jeweiligen Kaskodenpunkt. Widerstandsnetzwerke
fallen flach wegen Stromverbrauch, also nix mit Spannungsteiler etc.
Egal. Ich werde einen anderen Ansatz finden, denn nun wurde zu viel
erklärt als das ihr nicht auch in die selbe Richtung wie ich denken
würdet.
Trotzdem Danke, Thread kann geschlossen werden.
@4to Takoe
Kann es sein, dass Du über Dein eigenes, sprachliches Unvermögen
stolperst?
In Deinem Eingangspost ist von:
>Da das ganze nur mit Transistoren (Mosfets, Bipolar) und ein wenig>passiver Bauelemente (R und C, kein L) geschehen muss komme ich einfach>nicht weiter.
Die Rede
Später kommt dann:
>Ich merk schon, hier gestern keine Halbleiterexperten rum, hatte vor>paar Tagen schonmal paar Fragen in Richtung Halbleiterei und Chipdesign>gestellt, aber so wie es aussieht kennen sich die Leute hier nur mit>diskreten BE aus.
Also vielleicht könntest Du ja mal rüberbringen, was Du denn willst.
Schaltungsentwurf mit Platinenbau oder Chipdesign?
Axel H. schrieb:> Mal was von Bulk gehört???
Was diese Vermutung verstärkt:
4to Takoe schrieb:> Ich merk schon, hier geistern keine Halbleiterexperten rum
Die Spannungsdifferenzen zwischen Bulk, Source, Drain, Nwell und
Substrat haben ihre Grenzen.
Schluss, aus. Jetzt bin ich an dem Punkt an den ich nicht gelangen
wollte.
Bitte Schließen lieber Mod!
4to Takoe schrieb:> Innerhalb eines EEPROMs müssen Programmierspannungen an die> Speichermatrix geschalten werden. Dabei werden 5V Mosfets verwendet um> +12V, -12V und GND an einen Punkt zu schalten.
Das wird aber schon seit Jahren in EEPROMs eingebaut. Damit sollten
andere das Problem schon seit Jahren geloest haben.
Die Idee vom Axel H. ist, wenn es denn unbedingt ohne
Trafo sein muß, ein sehr guter Ansatz. Geht aber nur für
geringe Leistung. LT hat da was im Angebot, auch
ein Blick auf die Seiten von Analog Devices bzw. TI
könnte hilfreich sein.
Stichwort "Flying Capacitor".
Helmut Lenzen schrieb:> Damit sollten andere das Problem schon seit Jahren geloest haben.4to Takoe schrieb:> Ich werde einen anderen Ansatz finden, denn nun wurde zu viel> erklärt als das ihr nicht auch in die selbe Richtung wie ich denken> würdet.
Schon, schon, aber er will ja eigentlich keine Hilfe und Ideen von
anderen. Das was die anderen denken taugt nicht, da muss dann schon was
neues her.
4to Takoe schrieb:> Wie kann man aus einer Gleichspannung eine Potentialfreie Gleichspannung> machen?>> Da das ganze nur mit Transistoren (Mosfets, Bipolar) und ein wenig> passiver Bauelemente (R und C, kein L) geschehen muss komme ich einfach> nicht weiter. Hat irgendjemand eventuell einen Anhaltspunkt für mich,> wie ich sowas realisieren könnte?>> Bei mir scheitert's allein schon an der Vorstellung, dass dies> funktionieren könnte...
Bei dem Eröffnungsposting dachte ich auch dasd hier ein Azubi seine
Hausaufgaben gelöst bekommen will. Plötzlich haben wir hier aber einen
Fachmann für Chipdesign mit mangelndem Vorstellungsvermögen.
Am Anfang sich Dumm stellen, nur Krümelweise die Informationen
rauslassen und dann zum Schluss erklären, das doch alles klar ist und
man auch in diese Richtung dachte. Nur das von den andern halt auch nix
neues kommt.
Gut, ja ich gebe zu dies war nicht die Feine Englische. Und vielleicht
hab ich mich wirklich etwas unmissverständlich ausgedrückt.
Ich wollte halt eure unberührten Geister wecken um in Richtungen zu
denken die mit zu detaillierter Erklärung nie eingeschlagen würden.
Gut, Trotzdem immer noch danke für den Input. Es sollte so eine Art
Brainstorming werden, was online über ein Forum nicht zu funktionieren
scheint.
Ich bitte hiermit um Verzeihung für den Versuch und danke euch für eure
aufgeopferte Zeit. Diskussion beendet.
