Drain-Source-Kapazität

Tim W. OP #3355445 
Moin,
Kann mir jemand erklären, wodurch die Drain-Source-Kapazität beim MOSFET 
entsteht?
Die Entstehung der anderen beiden Kapazitäten (C_GS und C_GD) sind 
leicht zu verstehen: Metall und Halbleitermaterial sind Elektroden und 
das Oxid ist das Dielektrikum.
Wo ist diese Analogie bei C_DS?

Gruß Tim
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