Vielleicht ist das noch nicht klar geworden, aber obwohl das Gehäuse aus
Aluminium und damit gut leitend ist, gibt es im konkreten Fall im
Inneren des Gehäuses keine Möglichkeit in der Nähe des Steckers an das
Gehäuse ran zu kommen. Ist leider so, bitte nehmt es hin (ich muss es
auch) :-)
Natürlich möchte ich die Überspannungen nach Gehäuse=Chassis=Strukur=PE
ableiten, aber wie gesagt unmittelbar am Stecker kommt man da nicht ran.
Also gibt es nur die Möglichkeit, von der kleinen Platine am Stecker
eine "Strippe" zum Gehäuse=Chassis=Strukur=PE zu ziehen und diese
Strippe könnte dann nur so realisiert werden, in dem auf dem Flex-Layer,
der auch die Signale inkl. Signal_GND trägt, eine zusätzliche Leiterbahn
Gehäuse=Chassis=Strukur=PE geführt wird, die dann auf der Hauptplatine
auf einen Stehbolzen geht und über diesen Kontakt zum Aluminiumgehäuse
bekommt. Auch hier gilt leider: Ist so, weil ist so.
Das einzige was ich jetzt entscheiden kann ist, ob ich die TVS-Dioden in
der Nähe des Steckers (dann aber mit der langen Verbindung zum Gehäuse)
platziere oder lieber auf der Hauptplatine paar cm von Stecker weg,
dafür mit halbwegs induktivitätsarmer
Gehäuse=Chassis=Strukur=PE-Anbindung über den Stehbolzen.
Ach ja, es geht um Transiente auf den Signalleitungen bzw. Signalground.
Mit ner ESD-Pistole aufs Gehäuse, den Stecker (außen besteht Verbindung
zum Gehäuse) oder den Schirm ist kein Thema, dafür brauch ich keine
TVS-Dioden.