650V Zwischenkreisspannung mit 1x 800V MOSFET OK?

Nils schrieb:
> Hallo,
>
> für einen Hochsetzsteller zur Erzeugung von einer Zwischenkreisspannung
> für einen Vollbrückenwechselrichter wird eine Zwischenkreisspannung von
> 650V(Nenn) benötigt.
>
> Kann man dafür einen 800V MOSFET (SPW55N80C3) verwenden oder muss IGBTS
> oder eine symmetrische Anordnung verwenden?
>
> Die Breakdown-Voltage des MOSFETs bei -20°C beträgt 740V.
> Nach DIN VDE 0126-1-1 beträgt die Netzspannung maximal 114% * 230V *
> sqrt(2) *2 = 742V Spitze-Spitze.
>
> D.h. abzüglich Leitwiderstände bleibt da keine Reserve mehr für die
> Schaltvorgänge.
>
> --> Generell so nicht möglich?!
>
> gruß

Das ist vor allem eine Frage des Aufbaus. Wenn Du die Spannungen, die 
auftreten bevor Deine Diode leitet in den Griff bekommst dann geht das. 
Aber... ob das sinnvoll ist.... nun ja.

IGBTs sind ja nun kein Hexenwerk und wenn Du dich eh mit derartigen 
Spannungen herumschlägst... dann warum nicht? Oder ein FET mit höherer 
Sperrspannung (keine Ahnung ob es da welche gibt, ich verwende IGBTs)

Ich würd mich das unter keinen Umständen trauen, denn ich bin mir nicht 
sicher ob Real Life Spannungen immer und zu jeder Zeit wissen, was die 
Normen sagen....


Grüße

MiWi

Es gibt auch MOSFETS mit höherer Sperrspannung.
900V Schalter gibt es schon länger. Mittlerweile jetzt auch SiC-MOSFETs 
bis 1200V.