Gast
#3416761
Hich stehe gerade etwas auf dem Schlauch: Normalerweise wir ja ein N-Mosfet so genutzt: VCC - Last - [Mosfet Drain - Mosfet Source] - Masse kein Problem soweit. Jetzt wollte ich eine H-Brücke bauen. Also 4x N-Mosfet. Der Einfachheit halber betrachten wir hier nur den halben Zweig (also 2x N-Mosfet) - so habe ich es dann testweise auch mal aufgebaut. Da sieht es dann so aus: VCC - [Mosfet 1 Drain - Mosfet 1 Source] - Last - [Mosfet 2 Drain - Mosfet 2 Source] - Masse Soweit auch kein Problem, nur nun wird Mosfet 1 sauheiß. Der Innenwiderstand ist dann wohl zu hoch, denn es fließt insg. auch rund 35% weniger Strom als zu erwarten. Mosfet 2 ist das egal, der leitet brav gegen Masse und bleibt kalt. Eckdaten: Mosfet: AO4882 (Datenblatt: http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4882.pdf). Die Spannungen kommen von 2 Labornetzteilen, Die beiden Massen sind verbunden. VCC ist 20 Volt, V Gate ist 10 Volt (aber ob 5 oder 15 ist egal, keine Änderung). Der R Gate ist 20 Ohm (aber auch 50 oder 100 machen keinen Unterschied). Es wird also wohl daran liegen, dass dieser Mosfet es nicht mag, dass die Last zwischen Source und GND liegt und nicht zwischen VCC und Drain. Aber warum? Das ist doch so eine typische H-Brückenbeschaltung mit 4x N-Mosfet. Woran erkenne ich so etwas im Datenblatt des Mosfets ob der dafür geeignet ist oder nicht? Oder mache ich hier was falsch? Dankeschön im Voraus für Euren erhellenden Input. Rolf