MoinMoin, ich bastel grad meine erste H-Brücke mit Feldeffekttransistoren, und bei "normalen" bipolaren braucht man ja Freilaufdioden, wenn man induktive Lasten wie Motoren betreibt. Sind die Substratdioden ausreichend? MfG und vielen Dank, Chaos
j. t. schrieb: > Feldeffekttransistoren Haben die Substratdioden? Welche Typen meinst Du denn genau? Gruss Klaus.
Gast
#3453735
Bei einer Schaltung zum treiben von Motoren werden es Wohl schon MOSFETs sein, und die haben in der normalen Ausführung die Substratdiode. In den meisten Fällen werden die Substratdioden ausreichen, sofern die Schaltfrequenz nicht sehr hoch ist. Extra Dioden können die Schaltverluste reduzieren (weniger Spannung und schneller). Die MOSFETs können ggf. auch aktiv die Funktion der Freilaufdioden übernehmen, so dass die Dioden nur noch für die recht kurze Totzeit benötigt werden. Gerade bei alten MOSFETs waren die Substratdioden recht langsam und damit die Verluste ggf. auch zu hoch. Bei vielen neueren MOSFETs sind die Dioden schon relativ schnell - es sind aber auch nicht alle gleich. Es hängt auch von der Anwendung ab, ob die Dioden überhaupt schnell sein müssen. Kritisch ist vor allem wenn vor dem Abklingen des Stromes wieder eingeschaltet wird, etwa bei schnellem PWM mit Induktiver Last.
so ne Diode mit ultrafast und soft recovery mußt du nehmen wenn Du Induktivitäten schalten willst und du sicher gehen willst das der Trafo beim Umschaltvorgang auch leer ist.