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Gate-Vorwiderstand
Gast
#3494283
Eine vielleicht übervorsichtige Frage: Ich will mit einem AVR (Ub = 5 V) Kleinleistungs-MOSFETs, wie BS170 / BS250 ansteuern. Um unkontrollierte Zusände zu vermeiden, werde ich Gate-Pull-Up/Down-Widerstände von z.B. 47 kOhm einbauen. Welche Nachteile könnt ihr euch vorstellen, wenn ich auf Gate-Vorwiderstände verzichte?
Gast
#3494296
Diese FETs schalten dir aber nicht voll durch mit 5V. Dazu solltest du Logik-Level FETs vorsehen. Siehe auch: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht Wenn schon, würde ich 4.7 - 10k Pull-Down Widerstand nehmen (einiges kleiner als die interen Pull-Ups). Dass bei einem Reset sicher abgeschaltet ist (beim N-FET). Das ist aber kein Gate-Vorwiderstand). Ein Gate-Vorwiderstand braucht es hier nicht.
Gast
#3494298
- schnelles Schalten verursacht mehr Störungen - der µC wird gleich mit-gegrillt, wenn der FET auf eine bestimmte Weise durchbrennt
Gast
#3494310
Danke schon mal! Die FETs sollen nur 75 mA schalten. Mit <= 10 Ohm On-Resistance kann ich dabei leben Ich brauche eben ETWAS mehr Strom, als ein µC-Port liefert. Die internen Pull-Ups sind ein guter Hinweis! Allerdings wäre es ja meine Dusseligkeit als Programmierer, wenn die aktiviert würden. Gibt es weitere Einwände, oder Warnungen?
Gast
#3495325
Schalte in jede Gate-Leitung einen Strombegrenzungswiderstand. Das ist mein Rat. Der Grund dafür ist, daß jeder Fet eine nennenswerte Gate-Source-Kapazität hat und die will vom Port-Pin umgeladen werden. Deshalb sollte man den Umladestron soweit begrenzen, daß dadurch Störungen auf den GND und VCC Anschlüssen des µC soweit begrenzt werden, daß sie den µC nicht aus der Bahn werfen. So als groben Daumenwert würde ich bei vernünftigem Layout und ordentlichen Abblock-Kondensatoren an VCC vorschlagen, als Strombegrenzung 220 Ohm zu nehmen. W.S. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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