Mosfet Ausgangskennlinienfeld und Rdson

Also wird der Rdson vor Uds>Ugs-Uth angegeben? Im Linearen Bereich? 
Bevor der Knick in der Kennlinie ist?


Aber Schaltbetrieb ist doch hinter dem Knick im Sättigungsbereich? Oder 
verdreh ich hier etwas?

Hilfesuchender schrieb:
> Ein Mosfet ist ja im Sättigungsbereich wenn Uds>Ugs-Vth ist.
> Und der Pinchoff Point liegt ja bei Uds=Ugs-Vth.
>
> Im Sättigungsbereich ist der Mosfet eine Spannungsgesteuerte (Ugs)
> Stromquelle (Ids). Denn nach der Kennlinie her ändert sich der Strom Ids
> ja kaum noch wenn Uds weiter ansteigt.
>
> Nach dem Ohmschen Gesetz muss ja wenn I gleich bleibt aber U ansteigt
> auch R ansteigen.

Bis hierher alles richtig.

> Demnach müsste ja der Rdson ab dem Pinchoff Point wieder ansteigen oder?

Ja, nur heißt er dann nicht mehr Rdson, sondern nur allenfalls noch Rds,
den "on" ist der Mosfet im Sättigungsbereich nicht mehr.

> Wenn man nun einen Mosfet im Schaltbetrieb benutzt (also
> Sättigungsbereich) schaut man ja immer nach dem Rdson um die
> Durchlassverluste zu berechnen.

Der Mosfet ist dann nicht mehr im Sättigungs-, sondern im lineraren
Bereich.

> Also ganz grob, wo sehe ich den Rdson am Ausgangskennlinienfeld? (Müsste
> ja die Steigung sein...)

Der Rdson ist der Kehrwert der Steigung im linken Teil des
Kennlinienfelds (also nahe bei Uds=0).

> Im Linearen Bereich der Kennlinie ist der Mosfet ja ein
> Spannungsgesteuerter Widerstand. Also je nach Ugs besitzt er einen
> bestimmten Widerstand wodurch halt Ids mit Uds proportional steigt...

Ja.

> Beim Bipolaren Transistor heißen die Bereiche ja genau andersrum. Warum
> so ein durcheinander?

Weiß ich auch nicht. Das hat halt irgendjemand irgendwann einmal so
festgelegt. Vielleicht hängt das damit zusammen, dass Mosfets meist im
Schaltbetrieb und BJTs meist als lineare Verstärker genutzt werden.

> Der Bipolare Transistor ist ja in seinem Linearbereich eine
> Stromgesteuerte Stromquelle oder? Also je nach Ib ändert sich Ic
> unabhängig von Uce. ?

Ja.

> Und im Sättigungsbereich besitzt der Transistor auch einen Widerstand
> der jedoch nicht von Ib beeinflusst werden kann.

Nein, das ohmsche Verhalten eines gesättigten BJTs ist im Vergleich zu
einem voll durchgeschalteten Mosfet kaum ausgeprägt. Deswegen wird beim
BJT kein "Rceon", sondern stattdessen die Ucesat angegeben.

Jetzt wird mir gerade so einiges klar.

Also normalerweise möchte man nicht in den Sättigungsbereich übergehen. 
(Außer man möchte eine Stromquelle haben.. wobei ja die Verluste 
steigen..!?)


Jetzt frage ich mich warum unser Prof uns Ids im Sättigungsbereich 
ausrechnen lässt. Interessiert doch keinen weil man da nicht hin 
möchte...

Bzw. der Mosfet es wohl eh nicht lange aushält und verbraten wird....


Normaler Betrieb eines Mosfets ist also vor dem Pinchoff Point.