Gast
#3522798
Hallo Leute, Ich möchte gerne Silizium Carbit Mosfets schalten und bräuchte dafür gerne eine Spannungsversorgung von -5V zum Ausschalten und +20V zum Einschalten. Eine Treiberschaltung von Cree ist in folgendem Link dargestellt: http://www.google.dk/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&cad=rja&ved=0CCwQFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.cree.com%2F~%2Fmedia%2FFiles%2FCree%2FPower%2FApplication%2520Notes%2FCPWRAN10&ei=i_7zUq36GIbBtAbyxIGIAQ&usg=AFQjCNEFGMdjFaZq1bxKcL8hohdmrVRATA&sig2=HzVC9Fgf8yYMRjqwLVpjeA&bvm=bv.60799247,d.Yms Dort verwenden die zwei ungerelte DC/DC Wandler in Reihe geschaltet. Allerdings möchte ich gerne auf die DC/DC Wandler verzichten und meine eigene galvanische Trennung herstellen. Hier mein Anliegen bzw. die Spezifikationen: U_in = 12V U_out_1 = 20V U_out_2 = -5V P_out_max = 2W Jetzt stellt sich die Frage, wie ich das möglichst günstig und einfach realisieren kann. Die Ausgangsspannung sollte möglichst konstant sein (+-500mV maximal) während des Schaltvorgangs. Jetzt habe ich zwei Ideen dazu: 1. Einen elektronischen Oszillator (Relaxation Oscillator) zur Erzeugung eines PWM Signals, dessen DC Anteil über einen Kondensator weggekoppelt wird. Das AC Signal kommt in einen Übertrager mit zwei Sekundärwicklungen (für 20V und 5V) gefolgt von zwei Brückengleichrichtern. Die Ausgänge sind in Reihe geschaltet wie im Beispiel von Cree. Vorteil: Simpler gehts kaum Nachteil: Ungeregelte Ausgangsspannung (möglicherweise Vorteil?). Aufgrund ungleichem Laden bzw. Entladen (-5V und +20V) könnten Ausgleichströme die Ausgangsspannungen stark beeinflussen und den MOSFET ggf. in den ungewünschten halb durchgeschalteten Zustand setzen. 2. Zwei DC/DC Wandler IC inklusive Spannungsregelungen (20V und 5V). Vorteil: Geregelte Ausgangsspannung (möglicherweise Nachteil?) Nachteil: Relativ kompliziert, ggf. instabil Habt ihr Erfahrungen, wie man die Sache angehen könnte? Vielen Dank.