Hi zusammen, ich möchte die maximal mögliche Schaltzeit eines einzelnen Schaltvorgangs für einen Mosfet[1] bei einer bestimmten Temperatur herausfinden. Die Energie, die beim Schalten in Wärme umgewandelt wird, kann ich ja herausfinden, indem ich die Leistung über den Schaltvorgang integriere - in einem Beispiel bei 10us Schaltzeit und 600V/150A, die geschaltet werden, komme ich auf ca. 22mJ. Ich finde im Datenblatt allerdings keine entsprechenden Angaben, wie ich mit diesem Wert die Erwärmung des FET bestimmen kann. Mit den Wärmewiderständen komme ich ja nur weiter, wenn ich periodisch schalte, so kann ich über die periode die mittlere Leistung berechnen und damit über den Wärmewiderstand die Erwärmung des Transistors. Wie geht man da normalerweise vor? Rechnet man sowas nur über periodische Schaltvorgänge aus oder übersehe ich da was im Datenblatt? Ich wäre echt dankbar, wenn mir hier jemand auf die Sprünge helfen kann. Viele Grüße Henrik [1] http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/DM00048681.pdf
Gast
#3523945
Wenn Du im Datenblatt keine so detaillierte Werte findest und die Junction Temperatur messen willst, so geht das auch über das Vermessen der Flussspannung der parasitären Bodydiode. Die ist abhängig von der Temperatur. 1. Fet auf max. Junction Temp aufwärmen. Flusspannung messen. 2. Fet mit Puls beaufschlagen und unmittelbar (wenige ms) danach die Flussspannung wieder messen.