Hallo zusammen, für bipolar-Transistoren gibt es Ausführungen, die sich "Digitaltransistor" nennen. Diese haben z.B. in der npn-Version den Basis-Vorwiderstand und den Widerstand zwischen Emitter und Basis fertig im Gehäuse. Man kann sie also direkt an einen TTL-Ausgang hängen. z.B. die Infineon Typen: BCR 142, BCR 158, ... Gibt es so etwas auch für FETs? Ich habe nur bipolare-Versionen gefunden. 5V, 0,2A würden mir schon reichen. Oder ein Stichwort für die Suche - heißen die in der FET-Version nicht mehr Digitaltransistor sondern irgendwie anders?
Gast
#3536444
BSS138 zum Beispiel. kannst direkt an Digitalausgänge klemmen. Wie wahrscheinlich 99% aller Signal-Mosfets
René B. schrieb: > Gibt es so etwas auch für FETs? > Ich habe nur bipolare-Versionen gefunden. 5V, 0,2A würden mir schon > reichen. Wozu soll das gut sein? Beim Bipolar braucht man ja den Basisvorwiderstand um den maximalen Basisstrom zu begrenzen. Wofuer soll man beim FET da einen Spannungsteiler einbauen? Nimm einen Logiklevel FET und dann passt das schon ohne Widerstaende.
Ah schrieb: > BSS138 zum Beispiel. > kannst direkt an Digitalausgänge klemmen. Wie wahrscheinlich 99% aller > Signal-Mosfets Es geht mir z.B. um den Widerstand zwischen GS, um einen brauchbaren Einschaltzustand zu bekommen. Oder z.B. wenn ein µC davor hängt und dieser die Ausgänge hochohmig schaltet. Außerdem verträgt nicht jeder Ausgang die direkte Anbindung an die Gate-Kapazität des FET.
Helmut Lenzen schrieb: > Wofuer soll man beim FET da einen Spannungsteiler einbauen? > Nimm einen Logiklevel FET und dann passt das schon ohne Widerstaende. Geht nicht um den Spannungsteiler, sondern einen definierten Zustand im Fehlerfall, während des Einschaltens, wenn der µC resettet wird... Und man kann nicht bei jeder beliebigen Schaltfrequenz die Gatekapazität direkt an einen IC-Ausgang hängen.
René B. schrieb: > Es geht mir z.B. um den Widerstand zwischen GS, um einen brauchbaren > Einschaltzustand zu bekommen. Oder z.B. wenn ein µC davor hängt und > dieser die Ausgänge hochohmig schaltet. > Außerdem verträgt nicht jeder Ausgang die direkte Anbindung an die > Gate-Kapazität des FET. Dann schalte einen MOSFET-Treiber dazwischen, da ist das alles dann drin. René B. schrieb: > Und man kann nicht bei jeder beliebigen Schaltfrequenz die Gatekapazität > direkt an einen IC-Ausgang hängen. So ein Widerstand wuerde den MOSFet lahm machen. Und woher soll der Hersteller wissen fuer was der FET eingesetzt wird und wie schnell er dann sein darf.
Helmut Lenzen schrieb: > Dann schalte einen MOSFET-Treiber dazwischen, da ist das alles dann > drin. Ist ein bisschen sinnfrei, wenn ich Bauteile und Platz sparen will. Deshalb ja einen "Digital-FET", das Analogon zum Digitaltransistor eben. Ich will mir mindestens den GS-Widerstand sparen und wenn dann noch ein Gate-Vorwiderstand drin ist - auch OK.
Helmut Lenzen schrieb: > So ein Widerstand wuerde den MOSFet lahm machen. Und woher soll der > Hersteller wissen fuer was der FET eingesetzt wird und wie schnell er > dann sein darf. Gilt ähnlich auch für bipolare-Digitaltransistoren. Dennoch gibt es da was zu kaufen. Und außerdem ist mir die Einsparung des GS-Widerstands wichtiger (z.B. bei n-FET gegen Masse..)
Gast
#3536478
Hm, dir gehts um den Pull-Down am Gate, das versteh ich schon. Die schalt ich auch meist extern dazu, um eben den zitierten definierten Anfangszustand zu haben. Aber für nen 0603 sollte doch eigentlich immer Platz sein, wenns nicht passt, dann halt 0402, aber nicht einatmen bitte.
Marek N. schrieb: > Aber für nen 0603 sollte doch eigentlich immer > Platz sein, wenns nicht passt, dann halt 0402, aber nicht einatmen > bitte. Oder ein 4 fach Netzwerk...
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