SIC - MOSFet Ansteuerung

DrTurkelten Gast #3564662
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Hallou =)

Ich hab ein paar Fragen zu den Sic-Mosfets. In Fachliteratur und App. 
Notes z.B. von Cree, wird davon geredet, dass ein SiC-MOS mit +15->20V 
und am besten mit -2V (!) angesteuert werden soll.

Kann mir jmd. erklären weshalb die -2V ? Es ist doch inzwischen so, dass 
Si-MOS bei V_GS(th) +2->3V mit 0V angesteuert werden (achja es geht um 
n-selbstsperrende). Dabei hat man schon für evtl. Peaks mit min. 2V 
Puffer vorgesorgt. Warum also bei SiC-MOS mit -2V?

z.B. steht in der "Markt und Technik", dass Cree auf der PCIM 2013 seine 
beste Performance bei bei -2V/18V hatte. (SIC-MOS)

Viele Grüße,
DrTurkelten
Antwort Zitieren Bearbeiten Thread verschieben Thread sperren Anmeldepflicht aktivieren Anpinnen Thread löschen Thread mit anderem zusammenführen Beitrag melden
X-Way Gast #3565584
Lesenswert?
• ▲
▼ 
DrTurkelten schrieb:
> Kann mir jmd. erklären weshalb die -2V ? Es ist doch inzwischen so, dass
> Si-MOS bei V_GS(th) +2->3V mit 0V angesteuert werden (achja es geht um
> n-selbstsperrende). Dabei hat man schon für evtl. Peaks mit min. 2V
> Puffer vorgesorgt. Warum also bei SiC-MOS mit -2V?

Die Gate-Thresholdspannung ist bei SiC-MOSFET einfach nicht so stabil 
wie bei Silizium gewohnt. Die kann unter ungünstigen Umständen nahe 0V 
kommen. Außerdem ist die Gatekapazität viel kleiner (SPW55N80C3 Infineon 
Coolmos 800V, 85mOhm 288nC -- Cree C2M0080120D 1200V 80mOhm 49 nC). Der 
SiC-MOSFET ist also viel, viel empfindlicher gegenüber dem typischen 
parasitären Strom in der Millerkapazität durch das du/dt am unteren 
Brückentransistor. Deshalb verwendet man eine negative Gatespannung und 
oft auch eine aktive Millerclamp.
Antwort Zitieren Bearbeiten Löschen Beitrag melden
Thread beobachten

Antwort schreiben

Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.

Bestehender Account

oder

Mit Google-Account einloggen

Noch kein Account?

Die Registrierung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.

Jetzt registrieren