Hallo
Beim stöbern habe ich den Mosfet Treiber ADP3110A gefunden. Für gerade
mal 50cent scheint das Teil recht günstig. Im Datenblatt verwirrt mich
die Angabe, dass der Treiber 3nF Gatekapazität Treiber kann. Bisher habe
ich immer gesehen, dass der Strom angegeben wird mit welchem der Treiber
das Gate umlädt. Stattdessen heißt es: Output Resistance 2.2Ohm (typ.)
@12V. Ich kann mir schlecht vorstellen, dass bei dem IC 5A fließen. Es
wäre nett wenn mir jemand hier Klarheit schaffen würde.
avr schrieb:> kann mir schlecht vorstellen, dass bei dem IC 5A fließen.
Das kommt halt auf die Zeitspanne an, ob nun ein Kondensator in
Sekundenbruchteilen geladen oder eine Gluehbirne dauerhaft betrieben
werden soll macht nunmal einen Unterschied.
thermal shutdown 150C, Waermeueberg. S-O8 123C/W,
ohne weiter zu genauer gucken, angenommen 1W Dauerverlustleitung waeren
machbar dann kannst du dir ja ueberlegen welchen Dauerstrom man dem Teil
zumuten kann, ist ja letztlich "nur ein Schalter".
Ich wollte das Teil schon als Mosfet Gate Treiber verwenden. Die
Umladeverluste sind nicht das Problem. Ich habe den Treiber gerade
simuliert und muss zugeben, dass ich mich bei den Strömen verschätzt
habe. Um 25ns Schaltgeschwindigkeit zu erreichen muss schon ein recht
hoher Strom fließen.
Etwas unsicher bin ich noch bei der Bootstrap Schaltung. Der Mosfet, den
ich verwenden möchte, hat eine Gate-Source Spannungsfestigkeit von 20V.
Durch die Bootstrap Schaltung wird das Gate auf die doppelte
Versorgungsspannung gelegt (bei 12V auf 24V). Da der
Bootstrap-Kondensator nur mit 12V geladen ist, dürfte aber die
Gate-Source Spannung maximal 12V betragen. Wenn am Gate 24V anliegen,
muss der Mosfet also schon durchgeschalten haben.
Kann man somit auf eine Schutzbeschaltung am Gate verzichten?
Gedacht ist der fuer eine Halbbruecke also hat er zwei Ausgaenge.
DRVH, angehoben 'bootstrapped', fuer den oberen und DRVL fuer die untere
Haelfte, dort wird dann auch nur Vcc durchgeschaltet.
Kommt halt drauf an was du machen willst.
Bild 4 in deinem DB veranschaulicht das.
Halbbruecke treiben oder einzelnen FET?
Bei letzterem einfach den unteren nehmen, Kond. und die Diode wird man
dann auch weglassen koennen.
avr schrieb:> Etwas unsicher bin ich noch bei der Bootstrap Schaltung. Der Mosfet, den> ich verwenden möchte,
Ja, es geht um eine Halbbrücke mit zwei N-Mosfets
(http://www.vishay.com/docs/62838/sira36dp.pdf ). Und diese haben nur
eine Gate-Source Spannungsfestigkeit von 20V. Betreiben möchte ich die
Schaltung aber mit 12V.
Ich habe inzwischen gesehen, dass es eine Menge pinkompatibler Treiber
ICs gibt. Z.B.:
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5901-D.PDF
oder
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/ADP3121-D.PDF
Alle vom gleichen Hersteller. Aber die Datenblätter sind teilweise
deutlich ausführlicher. Manche empfehlen zusätzliche Gate Vorwiderstände
oder Stützkondensatoren bei der Bootstrap Schaltung. Beim NCP5901 sind
bei der Beispielschaltung haufenweise 0 Ohm Widerstände drin. Warum denn
das?
Jetzt weiß ich noch weniger, wie ich das ganze aufbauen soll. Gibts da
irgendwelche Literatur oder ähnliches?
avr schrieb:> Jetzt weiß ich noch weniger, wie ich das ganze aufbauen soll. Gibts da> irgendwelche Literatur oder ähnliches?
evtl. wirst du schon hier fuendig,
http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
ganz unten gibt auch noch es einen guten Link
AN978 von IRF: HV Floating MOS-Gate Driver ICs , engl.
Lastkapazität schrieb:> AN978 von IRF: HV Floating MOS-Gate Driver ICs , engl.
Danke, das war ganz hilfreich. Damit sind die meisten Fragen schon
geklärt worden. Bleibt nur noch übrig, ob man nun eine Schutzbeschaltung
bei der Bootstrap Schaltung für das Gate des Highside Fet braucht (2*Vcc
> Ugs).
avr schrieb:> Durch die Bootstrap Schaltung wird der Highside Mosfet mit 2*Vcc
Und dessen source liegt auf welchem Potential,
was bleibt dann ueber?
Zeig doch einfach mal deinen Entwurf, weis doch keiner was du wirklich
vorhast.
Ich habe für die Simulation einen diskreten Mosfet Treiber mit Bootstrap
benutzt.
Wenn Vout = 0 ist, wird der Bootstrap Kondensator mit 12V geladen.
Schaltet der Highside Fet langsam durch (Vout wird größer), wird die
Spannung des Treibers durch der Bootstrap Kondensator ebenfalls erhöht
und der Treiber kann mit der doppelten Spannung schalten. Soweit sieht
man das auch im unteren Graph. Im oberen oberen ist Ugs dargestellt.
Nach meinem Verständnis (und auch nach der Simulation), dürfte Vgs nie
größer 12V werden. Aber ich bin mir nicht sicher, wie sich das in der
Praxis verhält.
avr schrieb:> Nach meinem Verständnis (und auch nach der Simulation), dürfte Vgs nie> größer 12V werden. Aber ich bin mir nicht sicher, wie sich das in der> Praxis verhält.
Der Kondensator hat nie mehr als 12V. Der negative Pol ist am Source des
FET. Also kann das Gate nicht mehr als 12V positiver als die Source
sein. Welche Spannung die Brücke hat, ist egal. Es gibt Treiber, die
können einige 100V ab, mit der gleichen Schaltung. Es steht aber
nirgends geschrieben, daß der Treiber mit der Brückenspannung versorgt
werden muß.
MfG Klaus
Klaus schrieb:> Der Kondensator hat nie mehr als 12V. Der negative Pol ist am Source des> FET. Also kann das Gate nicht mehr als 12V positiver als die Source> sein. Welche Spannung die Brücke hat, ist egal.
Das ist klar. Ich war mir nur nicht sicher, ob das dann auch so gut auf
der Platine mit allen Induktivitäten funktioniert.
> Es gibt Treiber, die> können einige 100V ab, mit der gleichen Schaltung. Es steht aber> nirgends geschrieben, daß der Treiber mit der Brückenspannung versorgt> werden muß.
Und doch muss dort der Highside Fet mit 100V + Ugs(th) angesteuert
werden.
Aber mit dem Argument hast du alle Zweifel bei mir beseitigt.
