6n8 und harte Flanke auf Basis eines BCW65C möglich?

Quereinsteiger Gast #3625903
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Hallo, habe einen Schaltregler konstruiert, bei dem ein BCW65C das Gate 
eines Leistungs-Mosfets entladen soll. Funktioniert gut, bin mir 
allerdings bei einer Sache unsicher. Der BCW65C wird über einen Kerko 
(6n8) ohne Vorwiderstand angesteuert. Dieser Kerko liegt zwischen der 
hart schaltenden Flanke an Drain des Leistungs-Mosfet (DelteV/DeltaT 
ziemlich hoch), und der Basis des BCW65C. Fragt sich nun, wie belastbar 
solch ein kleiner Transistor an dieser Stelle ist. Die lt. Datenblatt 
max. 200mA Pulsstrom an der Basis werden sicher locker überschritten, 
allerdings nur für sehr kurze Zeit. Gibt es Richt- oder Erfahrungswerte 
für sowas? Das Datenblatt gibt dazu nicht viel her (Fairchild z.B. gibt 
im gesamten DB nicht einen einzigen Wert für den Basisstrom an - 
unglaublich!)

Würde eine Schätzung, ob die o.g. Verschaltung ok oder auch nicht ist, 
der Aussage, daß das Datenblatt heilig ist, vorziehen...
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Johannes E. #3626020
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Quereinsteiger schrieb:
> Der BCW65C wird über einen Kerko (6n8) ohne Vorwiderstand angesteuert...

Manchmal sagt ein Bild bzw. Schaltplan mehr als viele Worte; in diesm 
Fall wäre das sehr hilfreich.

Quereinsteiger schrieb:
> Fairchild z.B. gibt im gesamten DB nicht einen einzigen Wert für den
> Basisstrom an - unglaublich!

Dieser Transistor ist als "general purpose amplifier" konzipiert, also 
als Analogverstärker und nicht als Schalttransistor. Bei einem 
Analogverstärker ist der zulässige Basis-Strom nicht so wichtig, da die 
Stromverstärkung relativ hoch ist und im linearen Betrieb der 
Basis-Strom relativ niedrig ist.

Für so eine Anwendung solltest du eher einen Transistor verwenden, der 
für Schaltbetrieb ausgelegt ist (z.B. PBSS4041NT), da findest du dann 
auch die gewünschten Angaben im Datenblatt.
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ArnoR Gast #3626037
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Quereinsteiger schrieb:
> Der BCW65C wird über einen Kerko
> (6n8) ohne Vorwiderstand angesteuert. Dieser Kerko liegt zwischen der
> hart schaltenden Flanke an Drain des Leistungs-Mosfet (DelteV/DeltaT
> ziemlich hoch), und der Basis des BCW65C. Fragt sich nun, wie belastbar
> solch ein kleiner Transistor an dieser Stelle ist. Die lt. Datenblatt
> max. 200mA Pulsstrom an der Basis werden sicher locker überschritten,

Die Anstiegsgeschwindigkeit kennst du. Warum also dimensionierst du den 
Kondensator nicht so, dass der maximale Basisstrom eingehalten wird 
(I=C*dU/dt)? Glaubst du etwa der Transistor schaltet schneller oder 
besser wenn 5A Basisstrom fließen?
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Quereinsteiger Gast #3626122
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Die Flankensteilheit kann ich (trotz Oszilloskop) schwer messen. Ist 
recht hoch an dieser Stelle, so wie bei praktisch jedem Schaltregler. 
Auch arbeitet der Regler mit unterschiedlichen Betriebsspannungen, der 
Spannungshub ist also nicht gleich. Und noch dazu soll der Transistor 
schnell durchschalten, wenn die Speicherdrossel in die Sättigung geht, 
und sich die Spannung über Drain und Source um z.B. nur 1V erhöht. Daher 
der recht große Kondensator (das Prinzip klappt auch schon mit 100pF, 
nur nicht optimal). Max. Spannungshub ist immerhin ca. 60V.
Wie gesagt funktioniert es eigentlich sehr gut, nur ist die 
Betriebsweise des sot-23-Transistors recht ungewöhnlich. Keine Ahnung 
was die Dinger an der Basis vertragen...

Johannes E. schrieb:
> PBSS4041NT

Der sieht natürlich besser aus, vielen Dank!
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