Gast
#3700336
Hallo, ich habe hier einen N-MOSFET, der ein zu niedriges RDS-On besitzt. Wenn ich nun 2 bis 3 Ohm in die Leitung einbringe, wo sollte dieser Widerstand sinnvollerweise liegen, damit der Spannungsabfall über dem Widerstand das Öffnungs- und Schließverhalten des MOSFET nicht negativ beeinflusst? Wenn er unter der Source liegt, würde der Spannungsabfall über dem Widerstand ja regelmäßig so groß sein, dass die Source nicht auf Null-Potential liegt und somit die Gate-Source-Spannung für ein sicheres Öffnen eventuell in Mitleidenschaft gezogen werden könnte... D.h. für einen N-MOS würde ich zu dem Urteil kommen, dass ein zusätzlicher Widerstand am besten "über" das Drain kommt. Bei einem PMOS muss es folglich genau umgekehrt sein, d.h. hier müsste der Widerstand vermutlich "unter" das Drain. Wenn ich nun die zusammengesetzte Struktur betrachte, also einen Inverter, "oben" PMOS, und "unten" NMOS, dann müsste ich die Verbindung der beiden Drain-Anschlüsse vermutlich durch einen Widerstand von einigen wenigen Ohm ersetzen? Richtig? mfg