HF Transistor Simulation

Gast #3804143 
Hallo zusammen,

ich versuche im Moment eine HF Transistor zu simulieren. Hab mir einen 
rausgesucht als Beispiel für den es ein Spice Model gibt und S Parameter 
für unterschiedliche Arbeitspunkte. NE46134/CEL

Jetzt will ich eine Simulation aufbauen für die genau diese Parameter 
aus dem Datenblatt zutreffen z.B. V_CE = 10V und IC 100mA .

Wie muss eine Schaltung aussehen um genau die Werte zu erhalten. Hab 
natürlich selber schon rum probiert mit Basis Spannungsteiler und 
Kollektorwiederstand hab ich den Arbeitspunkt eingestellt und zuvor 
natürlich das zugehörige Modell importiert.

Kommt aber leider nie was sinnvolles Raus oder ich interpretiere die 
Ergebnisse falsch. Es sollte aber doch möglich sein die Daten aus dem 
Datenblatt zu berechnen oder?

jetzt bin ich mit meinem Latein am Ende und könnte einen Tipp 
gebrauchen.

grüße Martin
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Gast 
Vielleicht solltest du vor der Simulation von HF-Transistoren dich noch 
mit den Grundlagen der DC Arbeitspunkteinstellung eines Transistors 
vertraut machen.

In guter Näherung ist der Kollektrostrom gleich dem Emitterstrom.
Der Emitterstrom überschlägt sich: (Basisspannung - 0,7V)/ 
Emitterwiderstand.

Bei deinen 25 Ohm Emitterwiderstand müsste sich bei einer 
Emitterspannung von 2,5V ein Strom von 100mA einstellen. An der Basis 
müssten also (2,5V + 0,7V) = 3,2V anstehen.

Bei deiner Dimensionierung des Basisspannungsteilers stehen dort aber 
nur 1,7 V. Das ergibt einen Emitterstrom bzw. einen Kollektrostrom von 
gereade mal 40mA.

Gruß
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Gast 
Heinz Wäscher schrieb:
> Bei deiner Dimensionierung des Basisspannungsteilers stehen dort aber
> nur 1,7 V. Das ergibt einen Emitterstrom bzw. einen Kollektrostrom von
> gereade mal 40mA.

Ich muss mich korrigieren. Du hast ja 20V Betriebsspannung, nicht 10V 
wie ich irrtümlich annahm, da stimmt dein Basisspannungsteiler um 100mA 
zu erzeugen.

Insofern ist deine DC Arbeitspunkteinstellung vollkommen korrekt. Mit 
deinen Werten ergibt sich ein Kollektrostrom von 100mA und eine UCE von 
ca 10V.

Wo liegt deiner Meinung nach das Problem?

Gruß
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Hallo Martin,

hier würde ich doch auf den Basisstrom von 1mA Rücksicht nehmen. Der 
Querstrom beträgt 20mA und der Strom durch den oberen Widerstand dann 
21mA.

Damit komme ich auf R2 = (20V-3,2V)/21mA = 800 Ohm

Der Arbeitspunkt wäre übrigens deutlich stabiler 
(Spannungsgegenkopplung), wenn R2 auf C4 anstatt auf die 20V gelegt 
werden würde. Dann fließen durch R3 121mA und am R2 gibt es weniger 
Spannungsabfall.

Gruß, Bernd
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Gast 
Danke für die schnellen Antworten!

und auch danke für die Simulation von Helmut. Meine Ergebnisse für S21 
sind identisch mit deinen somit liegt es wahrscheinlich nicht daran wie 
ich das Modell eingebunden hab.

Was mich sehr stört an meiner Simulation ist, dass bei S11 die Werte im 
Bereich zwischen 0.37 und 0.48 liegen und im Datenblatt zwischen 0.791 
und 0.802 da hab ich doch irgendwo einen Fehler drin oder?

Grüße Martin
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Gast 
Martin0815 schrieb:
> Was mich sehr stört an meiner Simulation ist, dass bei S11 die Werte im
> Bereich zwischen 0.37 und 0.48 liegen und im Datenblatt zwischen 0.791
> und 0.802 da hab ich doch irgendwo einen Fehler drin oder?

Du hast ja schließlich auch noch einige Beschaltung außen rum, was die 
Eingangsimpedanz der Gesamtanordnung beeinflusst.
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> Was mich sehr stört an meiner Simulation ist, dass bei S11 die Werte im
Bereich zwischen 0.37 und 0.48 liegen und im Datenblatt zwischen 0.791
und 0.802 da hab ich doch irgendwo einen Fehler drin oder?

Bei meiner Simulation kommt das ungefähr richtig heraus.
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Gast 
Danke an alle es war viel einfacher!

Ich hab im datenblatt den falschen Typ genommen NE46100 deshalb auch der 
unerklärliche Unterschied.

Richtig ist der Typ NE46134 dann stimmt auch die Simulation :-)

Jetzt kann ich mit dem Machting loslegen.

Danke Helmut!
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