Fragen zum IRF640

[Gregor (Gast)]

Hallo,

ich habe 2 Fragen zum IRF640, speziell zu 2 Angaben von dem Transistor 
im Datenblatt.

Hier erstmal das Datenblatt:

http://www.vishay.com/docs/91036/91036.pdf

1. Wert: Linear Derating Factor auf Seite 1

2. Wert: VDS Temperature Coefficient auf Seite 2.

Kann mir diese Werte jemand erklären, bzw. was Sie aussagen ?

Ich danke euch, mfg

[M. K. (sylaina)]

zu 1: Du hast eine Kurve für die Verlustleistung. Diese ist bei einer 
entsprechenden (Umgebungs-) Temperatur angegeben. Hast du eine andere 
Temperatur verschiebt sich die Kurve für die Verlustleistung 
entsprechend.
Beispiel: Kurve bei 25°C angeben, du hast aber 30 °C dann musst du die 
Kurve um 5 W verringern (derating ;)).

zu 2: Ist was Ähnliches wie bei 1. nur dass hier nun die Spannung 
Drain-Source (und nicht die Verlustleistung) im durchgeschalteten 
Zustand u.a. von der Temperatur abhängt und die Kurve dazu entsprechend 
verschoben werden muss bei anderen Temperaturen als der Angegebenen 
(hier 25°C)

[georg (Gast)]

Hallo Michael,

zunächst danke für deine Antwort.

Nochmal zur 2.Frage:

der Temperature Coefficient = dUds / Tj;

ist (delta)Uds = Uds(neu temp) - Uds(25°C) ?

Somit wäre Uds(x temp) = 0,29 * Tj + Uds(25°C)

ist das richtig????


mfg

[M. K. (sylaina)]

Sieht richtig aus, würde ich auch so einsetzen. Wobei das ganze eh nur 
ein "Schätzwert" ist. Wer lässt schon "nur" 1 mA durch den FET fließen?

[Falk B. (falk)]

@ Michael Köhler (sylaina)

>Sieht richtig aus, würde ich auch so einsetzen. Wobei das ganze eh nur
>ein "Schätzwert" ist. Wer lässt schon "nur" 1 mA durch den FET fließen?

Derjenige, der die Durchbruchsspannung messen will.

[georg (Gast)]

ich danke vielmals

[M. K. (sylaina)]

Falk Brunner schrieb:
> Derjenige, der die Durchbruchsspannung messen will.

Da wären aber 1 mA recht viel, sind doch 0.25 mA viel üblicher dafür ;)