Sperrschwinger, FET schaltet nicht richtig

S. M. OP #3960471 
Habe hier ein älteres YHi 898 Netzteil, das ist als Sperrschwinger 
aufgebaut. Der Ausgang hat 12V und 1,25 A. Üblicherweise bleiben solche 
Netzteile ja kühl, nur bei diesem Ding wird der Schalt-FET (4N60) 
ziemlich heiß, besonders im Leerlauf!
Es geht mir hier nur um das Verständnis, ich will also wissen warum das 
so ist. Deshalb habe ich mal meinen Oszi an die Anschlüssen vom FET 
gehalten und gesehen, dass der FET schon anfängt durchzuschalten, obwohl 
das Gate noch keine Spannung erhält!!???
Die obere Kurve ist die Spannung am Drain, die untere vom Gate, der 
Bezug ist Source.
Hat Irgendjemand eine Idee, oder seh ich den Wald vor Bäumen nicht???
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Martin S. #3960492 
Der Abfall der Spannung am Drain (oberer Kreis) wird davon verurscht, 
das der Übertrager seine Energie komplett abgegeben hat, die Spannung am 
Übertrager wird zu Null (Primär- , und Sekundärseitig), gerade bei 
kleiner Last wird nur wenig Energie in den Übertrager 'geladen'. Zeichne 
Dir mal (gedacht) die Versorgungsspannung in das Oszi-Bild ein. Dann 
wirst Du feststellen, daß die Spannung, vor diesem Abfall, über der 
Betriebsspannung liegt. Bei einem Sperr-Wandler polt die Spannung, am 
Übertrager, um, wenn der Schalttransistor öffnet, deshalb muss dieser 
auch deutlich spnnungsfester sein, als es die Betriebsspannung vermuten 
ließe. Von diesem Abfall kommt die Erwärmung nicht, der Transistor führt 
da noch keinen Strom. Das Signal am Gate ist aber nicht so toll, wohl 
aber für diese Schaltung normal. Da, wo der Anstieg der Gate-Spannung 
kurz 'innehält', ist der Transistor im linearen Betrieb, da wirkt der 
Abfall der Drain-Spannung auf das Gate zurück, und verhindert einen 
zügigen Anstieg der Gate-Spannung. Eine stärkere (Mehr Gate-Strom) 
Treiber-Schaltung kann diese Zeit verkürzen. Dann wird die Flanke der 
Drain-Spannung steiler. Nachteil: Größere Störabstrahlung, da müssen oft 
Kompromisse eingegangen werden, die die Verlustleistung in die Höhe 
treiben.

Mit freundlichem Gruß - Martin
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Mark S. #3960498 
Die Messung von Vds vs Vgs ist schon mal eine sehr sinnvolle 
Vorgehensweise.
Nicht klar ist, ob sich bei diesem Netzteil etwas verschlechtert hat, 
oder ob das schon immer so war.

Ein untrügliches Indiz für Umschaltverluste sind die waagerechten 
Miller-Plateaus der gate-Spannung (bei ca +4V). Und zwar sowohl beim 
Ein- als auch beim Ausschalten. Ein sichtbares Miller-Plateau zeigt 
untrüglich, dass der MOSFET durch den linearen Bereich fährt - also 
verlustbehaftet schaltet.
Je länger das Plateau, desto höher sind diese Schaltverluste.

Es sieht also so aus, als ob die Ansteuerung zu schlapp ist, das gate 
schnell genug zu schalten - möglicherweise verursacht durch einen zu 
hohen gate-Vorwiderstand.
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